წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 26.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 17.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 95.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Retardant Coating, High Voltage, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 680 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 7.15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 2.32 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,
