წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 26.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 232 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 50.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 73.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 430 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 66.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 143 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
