ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

SR03700001201KR500

SR03700001201KR500

ნაწილი საფონდო: 2476

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
NFR0200004709JR500

NFR0200004709JR500

ნაწილი საფონდო: 3373

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Fusible, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
NFR0100006800JR500

NFR0100006800JR500

ნაწილი საფონდო: 3366

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Fusible, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVR6800008204JAC00

HVR6800008204JAC00

ნაწილი საფონდო: 3477

წინააღმდეგობა: 8.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Flame Retardant Coating, High Voltage, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
G26093333302JLA000

G26093333302JLA000

ნაწილი საფონდო: 12541

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 13W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 100/ +180ppm/°C,

სასურველი
LTO030F100R0FTE3

LTO030F100R0FTE3

ნაწილი საფონდო: 10090

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030F15R00FTE3

LTO030F15R00FTE3

ნაწილი საფონდო: 10121

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030F10000FTE3

LTO030F10000FTE3

ნაწილი საფონდო: 10075

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F10R00JTE3

RTO020F10R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 8955

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F22R00JTE3

RTO020F22R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 8926

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO050FR1000JTE3

LTO050FR1000JTE3

ნაწილი საფონდო: 10357

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
LTO050FR0470JTE3

LTO050FR0470JTE3

ნაწილი საფონდო: 10311

წინააღმდეგობა: 47 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
LTO030FR0220JTE3

LTO030FR0220JTE3

ნაწილი საფონდო: 10545

წინააღმდეგობა: 22 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
LTO050F47R00JTE3

LTO050F47R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 9590

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F4R700JTE3

RTO020F4R700JTE3

ნაწილი საფონდო: 8956

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030F22R00JTE3

LTO030F22R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 10731

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030F47R00JTE3

LTO030F47R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 10811

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030F100R0JTE3

LTO030F100R0JTE3

ნაწილი საფონდო: 10730

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030F1R000JTE3

LTO030F1R000JTE3

ნაწილი საფონდო: 10747

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030F15R00JTE3

LTO030F15R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 10805

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030F10001JTE3

LTO030F10001JTE3

ნაწილი საფონდო: 10767

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030F4R700JTE3

LTO030F4R700JTE3

ნაწილი საფონდო: 10726

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F330R0JTE3

RTO020F330R0JTE3

ნაწილი საფონდო: 11635

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F10000JTE3

RTO020F10000JTE3

ნაწილი საფონდო: 11582

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020FR4700JTE3

RTO020FR4700JTE3

ნაწილი საფონდო: 11590

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RTO020FR2000JTE3

RTO020FR2000JTE3

ნაწილი საფონდო: 8968

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RTO020F82R00JTE3

RTO020F82R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 11662

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F15R00JTE3

RTO020F15R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 8984

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F27000JTE3

RTO020F27000JTE3

ნაწილი საფონდო: 11641

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RWM06343302JS09E1

RWM06343302JS09E1

ნაწილი საფონდო: 14426

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 8W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
LTO030F10R00JTE3

LTO030F10R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 10741

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
FS-20SCBE100R0JE

FS-20SCBE100R0JE

ნაწილი საფონდო: 10058

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C,

სასურველი
FS-20SCBE1R000JE

FS-20SCBE1R000JE

ნაწილი საფონდო: 10012

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
FS-20SCBE10R00JE

FS-20SCBE10R00JE

ნაწილი საფონდო: 10055

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
FS-20SCBE50R00JE

FS-20SCBE50R00JE

ნაწილი საფონდო: 10097

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C,

სასურველი
FS-020CBE5R000JE

FS-020CBE5R000JE

ნაწილი საფონდო: 10403

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი