ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

LSR3700Z03900KR500

LSR3700Z03900KR500

ნაწილი საფონდო: 1021

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +600ppm/°C,

სასურველი
PR03000204700JR500

PR03000204700JR500

ნაწილი საფონდო: 3122

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Flame Retardant Coating, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
LSR3700Z02700KR500

LSR3700Z02700KR500

ნაწილი საფონდო: 1106

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +600ppm/°C,

სასურველი
LSR3700Z08200KR500

LSR3700Z08200KR500

ნაწილი საფონდო: 1033

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +600ppm/°C,

სასურველი
UXB02070G1002TCU00

UXB02070G1002TCU00

ნაწილი საფონდო: 8346

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RTO020FR0100JTE3

RTO020FR0100JTE3

ნაწილი საფონდო: 8054

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±900ppm/°C,

სასურველი
RTO020FR0150JTE3

RTO020FR0150JTE3

ნაწილი საფონდო: 8105

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
LTO030FR0500FTE3

LTO030FR0500FTE3

ნაწილი საფონდო: 7627

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
LTO050FR0680JTE3

LTO050FR0680JTE3

ნაწილი საფონდო: 8021

წინააღმდეგობა: 68 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
RTO050FR0680JTE1

RTO050FR0680JTE1

ნაწილი საფონდო: 8351

წინააღმდეგობა: 68 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
LTO100F15R00JTE3

LTO100F15R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 5665

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
RTO050F12R00JTE1

RTO050F12R00JTE1

ნაწილი საფონდო: 7710

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO050F47R00FTE3

LTO050F47R00FTE3

ნაწილი საფონდო: 8313

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030FR0150JTE3

LTO030FR0150JTE3

ნაწილი საფონდო: 8069

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
LTO050F22R00FTE3

LTO050F22R00FTE3

ნაწილი საფონდო: 6396

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO030FR0100JTE3

LTO030FR0100JTE3

ნაწილი საფონდო: 8116

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±900ppm/°C,

სასურველი
RTO020F22000JTE3

RTO020F22000JTE3

ნაწილი საფონდო: 9000

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RWM0845R470JB25E1

RWM0845R470JB25E1

ნაწილი საფონდო: 16417

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 11W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
RTO020F47000JTE3

RTO020F47000JTE3

ნაწილი საფონდო: 8999

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F470R0JTE3

RTO020F470R0JTE3

ნაწილი საფონდო: 8949

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F10002JTE3

RTO020F10002JTE3

ნაწილი საფონდო: 9010

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F12R00JTE3

RTO020F12R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 8920

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO050FR5000JTE1

RTO050FR5000JTE1

ნაწილი საფონდო: 9058

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F1R000JTE3

RTO020F1R000JTE3

ნაწილი საფონდო: 8991

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F56R00JTE3

RTO020F56R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 8956

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F680R0JTE3

RTO020F680R0JTE3

ნაწილი საფონდო: 8954

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F10001JTE3

RTO020F10001JTE3

ნაწილი საფონდო: 8973

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO050F5R000JTE1

RTO050F5R000JTE1

ნაწილი საფონდო: 9092

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO050FR0500JTE1

RTO050FR0500JTE1

ნაწილი საფონდო: 7561

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
RTO020F220R0JTE3

RTO020F220R0JTE3

ნაწილი საფონდო: 8972

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F3R900JTE3

RTO020F3R900JTE3

ნაწილი საფონდო: 8980

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F2R200JTE3

RTO020F2R200JTE3

ნაწილი საფონდო: 8999

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020F47R00JTE3

RTO020F47R00JTE3

ნაწილი საფონდო: 8933

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RTO020FR0460JTE3

RTO020FR0460JTE3

ნაწილი საფონდო: 7365

წინააღმდეგობა: 46 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი
RTO050F3R900JTE1

RTO050F3R900JTE1

ნაწილი საფონდო: 7671

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LTO050FR0220JTE3

LTO050FR0220JTE3

ნაწილი საფონდო: 8678

წინააღმდეგობა: 22 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±700ppm/°C,

სასურველი