რეზისტორული ქსელები, მასივები

MPM10019001AT1

MPM10019001AT1

ნაწილი საფონდო: 39392

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
ORNV25021002TF

ORNV25021002TF

ნაწილი საფონდო: 35226

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 25k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
MPMT1003DT1

MPMT1003DT1

ნაწილი საფონდო: 43550

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 50k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
MPMT10011002DT1

MPMT10011002DT1

ნაწილი საფონდო: 39417

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
MPM4002AT1

MPM4002AT1

ნაწილი საფონდო: 43515

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
MPMT10014001AT1

MPMT10014001AT1

ნაწილი საფონდო: 39393

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 4k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
DFNA4991DT1

DFNA4991DT1

ნაწილი საფონდო: 59369

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.99k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,

სასურველი
ORNTA1002DT1

ORNTA1002DT1

ნაწილი საფონდო: 62597

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
MPM2002AT1

MPM2002AT1

ნაწილი საფონდო: 43592

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
ORNTA1003BT1

ORNTA1003BT1

ნაწილი საფონდო: 55824

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
NOMCT16031002DT1

NOMCT16031002DT1

ნაწილი საფონდო: 36409

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
DFNA5000FT1

DFNA5000FT1

ნაწილი საფონდო: 69575

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 500, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,

სასურველი
MPMA10012001AT1

MPMA10012001AT1

ნაწილი საფონდო: 42629

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
ORNV50022002TF

ORNV50022002TF

ნაწილი საფონდო: 35191

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
MPMA10012502AT1

MPMA10012502AT1

ნაწილი საფონდო: 42611

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 25k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
ORNTA4991AT1

ORNTA4991AT1

ნაწილი საფონდო: 41675

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.99k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
ORNTA2001AT1

ORNTA2001AT1

ნაწილი საფონდო: 41642

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
MPMT4001AT1

MPMT4001AT1

ნაწილი საფონდო: 43538

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
MPM1002AT1

MPM1002AT1

ნაწილი საფონდო: 43592

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
ORNTA1002FT1

ORNTA1002FT1

ნაწილი საფონდო: 73172

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
ORNV20021002T1

ORNV20021002T1

ნაწილი საფონდო: 34643

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
MPM8001AT1

MPM8001AT1

ნაწილი საფონდო: 43538

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 4k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,

სასურველი
VSSR1601101JTF

VSSR1601101JTF

ნაწილი საფონდო: 75617

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
ORNTA1001AT1

ORNTA1001AT1

ნაწილი საფონდო: 41657

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
DFNA2002FT1

DFNA2002FT1

ნაწილი საფონდო: 69623

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,

სასურველი
VSSR1601472GUF

VSSR1601472GUF

ნაწილი საფონდო: 87098

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
VSSR1603102GTF

VSSR1603102GTF

ნაწილი საფონდო: 87082

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
VSSR2401472JUF

VSSR2401472JUF

ნაწილი საფონდო: 89741

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 23,

სასურველი
VSSR2001202JUF

VSSR2001202JUF

ნაწილი საფონდო: 89794

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 19,

სასურველი
VSSR1601103JTF

VSSR1601103JTF

ნაწილი საფონდო: 106413

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
VSSR1601681GTF

VSSR1601681GTF

ნაწილი საფონდო: 87029

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
VSSR2403103JTF

VSSR2403103JTF

ნაწილი საფონდო: 89753

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
VSSR2401202JTF

VSSR2401202JTF

ნაწილი საფონდო: 89839

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 23,

სასურველი
VSSR1603471JTF

VSSR1603471JTF

ნაწილი საფონდო: 106442

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
VSSR1601222JTF

VSSR1601222JTF

ნაწილი საფონდო: 106436

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
VSSR2001473JTF

VSSR2001473JTF

ნაწილი საფონდო: 89767

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 19,

სასურველი