სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 23,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 8k, ტოლერანტობა: ±0.25%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 25k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 25k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.5%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 50k, ტოლერანტობა: ±0.25%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, 25k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.25%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.25%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 19,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.25%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.025%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 19,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
