Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
BYD13GGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13GGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 5170

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BYD13DGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13DGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 985

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY520-14EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-14EHE3/54

ნაწილი საფონდო: 994

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
BY520-16EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-16EHE3/54

ნაწილი საფონდო: 993

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
BY500-200-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-200-E3/54

ნაწილი საფონდო: 986

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
BAQ33-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ33-GS08

ნაწილი საფონდო: 159944

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
BY398P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY398P-E3/54

ნაწილი საფონდო: 960

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
BYV28-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-150-TR

ნაწილი საფონდო: 151017

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 30ns,

სასურველი
BY448GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 963

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 20µs,

სასურველი
BAV102-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV102-GS08

ნაწილი საფონდო: 195083

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BAQ334-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ334-TR

ნაწილი საფონდო: 132198

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
BY396P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY396P-E3/54

ნაწილი საფონდო: 957

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
BY397P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY397P-E3/54

ნაწილი საფონდო: 997

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
BY299P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY299P-E3/54

ნაწილი საფონდო: 927

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
BY298P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY298P-E3/54

ნაწილი საფონდო: 921

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
BY297P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY297P-E3/54

ნაწილი საფონდო: 995

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
BY254GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254GP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 5102

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY254GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 933

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY253GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 910

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY253GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253GP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 5164

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY252GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 916

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY252GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252GP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 938

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY251GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 917

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY229B-800HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-800HE3/81

ნაწილი საფონდო: 942

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 145ns,

სასურველი
BY251GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 936

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY229B-800-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-800-E3/81

ნაწილი საფონდო: 925

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 145ns,

სასურველი
BY229B-600HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-600HE3/81

ნაწილი საფონდო: 935

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 145ns,

სასურველი
BY229B-600-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-600-E3/81

ნაწილი საფონდო: 971

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 145ns,

სასურველი
BY229B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-400HE3/81

ნაწილი საფონდო: 906

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 145ns,

სასურველი
BY229B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-400-E3/81

ნაწილი საფონდო: 5135

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 145ns,

სასურველი
BY229B-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-200HE3/81

ნაწილი საფონდო: 993

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 145ns,

სასურველი
BY228GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 988

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 2.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 20µs,

სასურველი
BY229B-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-200-E3/81

ნაწილი საფონდო: 5138

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 145ns,

სასურველი
BY227MGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY227MGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 923

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1250V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი
BY206GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY206GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 921

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 400mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1µs,

სასურველი
BY134GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY134GP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 914

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი