Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
BYX10GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX10GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 1176

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 360mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი
BYM07-200HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200HE3/83

ნაწილი საფონდო: 1199

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYD13JGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13JGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 1159

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BYD13KGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13KGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 1195

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY255GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 1146

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BY134GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY134GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 1225

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი
BYV26EGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/73

ნაწილი საფონდო: 1202

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYV26DGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/73

ნაწილი საფონდო: 5173

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYW27-400GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-400GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 5134

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BYW27-200GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-200GPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 1007

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
BYV26DGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 1035

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYV26EGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/54

ნაწილი საფონდო: 5119

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYS459B-1500SE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500SE3/81

ნაწილი საფონდო: 995

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 6.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 220ns,

სასურველი
BYS459B-1500E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500E3/81

ნაწილი საფონდო: 956

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 6.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 350ns,

სასურველი
BYS11-90HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90HE3/TR3

ნაწილი საფონდო: 1024

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
BYS12-90HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90HE3/TR3

ნაწილი საფონდო: 954

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
BYS10-45HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3/TR3

ნაწილი საფონდო: 1013

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
BYS10-35HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3/TR3

ნაწილი საფონდო: 5156

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
BYS10-25HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25HE3/TR3

ნაწილი საფონდო: 979

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 25V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
BYM12-400HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3/97

ნაწილი საფონდო: 5156

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYM12-50HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-50HE3/97

ნაწილი საფონდო: 1042

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYM12-200HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200HE3/97

ნაწილი საფონდო: 973

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYM12-300HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300HE3/97

ნაწილი საფონდო: 971

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYM12-150HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-150HE3/97

ნაწილი საფონდო: 1001

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYM12-100HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-100HE3/97

ნაწილი საფონდო: 5130

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYM11-800HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800HE3/97

ნაწილი საფონდო: 5150

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
BYM11-1000HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-1000HE3/97

ნაწილი საფონდო: 5194

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
BYM07-50HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-50HE3/83

ნაწილი საფონდო: 947

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYM07-400HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-400HE3/83

ნაწილი საფონდო: 968

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYM07-300HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300HE3/83

ნაწილი საფონდო: 1015

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYD33MGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33MGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 5173

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
BYD33KGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33KGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 1008

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
BYD33GGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33GGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 963

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი
BYD33JGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33JGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 977

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი
BYD33DGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33DGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 945

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი
BYD13MGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13MGP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 952

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი