Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს

  • სახლი
  •  
  • ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს
DG2034EDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG2034EDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 126

ჩართვა ჩართვა: SP4T, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 4:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 2.5 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 20 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი
DG418LEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG418LEDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 153

ჩართვა ჩართვა: SPST, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 9 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG417LEDY-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG417LEDY-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 119

ჩართვა ჩართვა: SPST, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 9 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG2537DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG2537DQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 83458

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 4.5 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 200 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 2.6V ~ 4.3V,

სასურველი
DG4599EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG4599EDL-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 128

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 60 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 2 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი
DG417LEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG417LEDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 122

ჩართვა ჩართვა: SPST, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 9 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG213DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

DG213DQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 73750

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 60 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 1 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 40V,

სასურველი
DG613EEQ-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG613EEQ-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 112

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 115 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 2.5 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 12V,

სასურველი
DG4052EEY-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG4052EEY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 116325

ჩართვა ჩართვა: SP4T, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 4:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 78 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 910 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG723DN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG723DN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 149538

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 4.5 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 200 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი
DG308BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix

DG308BDQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 67903

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 85 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 1.7 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 4V ~ 44V,

სასურველი
DG2735ADN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG2735ADN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 188863

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 500 mOhm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 60 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.65V ~ 4.3V,

სასურველი
DG413LEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG413LEDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 98640

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 26 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG4051EEN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG4051EEN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 116295

მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 8:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 78 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 910 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG2733EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG2733EDN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 182

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 500 mOhm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 60 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.65V ~ 5.5V,

სასურველი
DG403DY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG403DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 93897

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 45 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 3 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 5V ~ 34V,

სასურველი
DG4053EEN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG4053EEN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 116303

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 3, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 78 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 910 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG441DY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG441DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 77187

ჩართვა ჩართვა: SPST - NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 85 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 4 Ohm (Max), ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 12V,

სასურველი
DG2519EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG2519EDN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 101

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 4 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 500 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი
DG2739DN-T1-E4
Vishay Siliconix

DG2739DN-T1-E4

ნაწილი საფონდო: 183541

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 8 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 100 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 2.3V ~ 4.3V,

სასურველი
DG3539DB-T5-E1
Vishay Siliconix

DG3539DB-T5-E1

ნაწილი საფონდო: 174388

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 3.5 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 200 mOhm (Max), ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი
DG4052EEN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG4052EEN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 116328

ჩართვა ჩართვა: SP4T, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 4:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 78 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 910 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG441BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG441BDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 71381

ჩართვა ჩართვა: SPST - NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 80 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 2 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 12V,

სასურველი
DG408LEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG408LEDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 90420

მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 8:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 23 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 1 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG468DV-T1-E3
Vishay Siliconix

DG468DV-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 135584

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 9 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 7V ~ 36V,

სასურველი
DG9234EDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG9234EDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 152

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 25 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 400 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 2.7V ~ 5.5V,

სასურველი
DG4051EEQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG4051EEQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 116242

მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 8:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 78 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 910 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG445DY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG445DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 87158

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 85 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 5V ~ 36V,

სასურველი
DG409LEDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG409LEDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 98647

ჩართვა ჩართვა: SP4T, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 4:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 23 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 1 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG9454EEN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG9454EEN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 116284

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 3, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 103 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 1.24 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG448DV-T1-E3
Vishay Siliconix

DG448DV-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 137717

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 25 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 7V ~ 36V,

სასურველი
DG413DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

DG413DQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 73355

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 35 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 5V ~ 44V,

სასურველი
DG612EEY-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG612EEY-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 104

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 115 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 2.5 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 12V,

სასურველი
DG444DY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG444DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 87149

ჩართვა ჩართვა: SPST - NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 85 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 5V ~ 36V,

სასურველი
DG4053EEY-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG4053EEY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 116247

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 3, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 78 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 910 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი
DG9431EDY-GE3
Vishay Siliconix

DG9431EDY-GE3

ნაწილი საფონდო: 67584

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 30 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 400 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 2.7V ~ 12V,

სასურველი