ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს | ინტეგრირებული სქემები (IC) | 29

DG409LEDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 90418

ჩართვა ჩართვა: SP4T, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 4:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 23 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 1 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG419DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 85474

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 35 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 12V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG441LEDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 116327

ჩართვა ჩართვა: SPST - NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 26 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 100 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG408DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 90353

მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 8:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 100 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 15 Ohm (Max), ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 12V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG722DQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 79782

ჩართვა ჩართვა: SPST - NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 4.5 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 200 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG613EEY-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 166

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 115 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 2.5 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 12V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG442BDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 71447

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 80 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 2 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 12V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG411DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 85519

ჩართვა ჩართვა: SPST - NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 35 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 5V ~ 44V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG2536DN-T1-E4

ნაწილი საფონდო: 90479

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 500 mOhm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 50 mOhm (Max), ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG508BEY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 67828

მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 8:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 380 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 10 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 12V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG401DY-E3

ნაწილი საფონდო: 104209

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 45 Ohm,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG721DQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 79814

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 4.5 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 200 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG401DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 141438

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 45 Ohm,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG604EEQ-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 9907

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 101 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 5 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG636EEN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 24344

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 96 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 300 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG2503DB-T2-GE1

ნაწილი საფონდო: 125463

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 8 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG9431EDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 87587

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 30 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 400 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 2.7V ~ 12V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG412DQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 108502

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 35 Ohm,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG418LEDY-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 164

ჩართვა ჩართვა: SPST, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 9 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG442LEDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 116304

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 26 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 100 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG412LEDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 108994

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 26 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG2750DN-T1-E4

ნაწილი საფონდო: 98709

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 1 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 100 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG211BDQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 79968

ჩართვა ჩართვა: SPST - NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 85 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 2 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 4.5V ~ 25V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG418DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 79822

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 35 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 12V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG9409EDN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 63912

მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 4:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 7 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 3.6 Ohm (Max), ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 2.7V ~ 12V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG408LEDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 98654

მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 8:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 23 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 1 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG3537DB-T5-E1

ნაწილი საფონდო: 174420

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 3.5 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 200 mOhm (Max), ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG201BDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 73747

ჩართვა ჩართვა: SPST - NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 85 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 2 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 4.5V ~ 25V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DGQ2788AEN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 9961

ჩართვა ჩართვა: DPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:2, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 500 mOhm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 50 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG509BEN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 77551

ჩართვა ჩართვა: SP4T, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 4:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 380 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 10 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 12V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG2517EDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 83505

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 3.1 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 10 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG2737DN-T1-E4

ნაწილი საფონდო: 183612

ჩართვა ჩართვა: SPDT, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 2:1, სქემების რაოდენობა: 1, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 8 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 100 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 2.3V ~ 4.3V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG413LEDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 108993

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO/NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 4, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 26 Ohm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 3V ~ 16V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG722DN-T1-GE4

ნაწილი საფონდო: 149530

ჩართვა ჩართვა: SPST - NC, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 4.5 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 200 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 1.8V ~ 5.5V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG9233EDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 79787

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 25 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 400 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 2.7V ~ 5.5V,

სასურველი

Vishay Siliconix

DG9233EDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 83523

ჩართვა ჩართვა: SPST - NO, მულტიპლექსერის / დემულტიპლექსერის წრე: 1:1, სქემების რაოდენობა: 2, სახელმწიფო წინააღმდეგობა (მაქს): 25 Ohm, არხიდან არხზე თანხვედრა (ΔRon): 400 mOhm, ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი (V +): 2.7V ~ 5.5V,

სასურველი