ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 18

SI7216DN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 113546

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4963BDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 147270

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.4V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 137693

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 370mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SQJQ906E-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 8627

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4542DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 5348

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZ320DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 9923

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), 40A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZ926DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 127180

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), 60A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZ328DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 221

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZF916DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 281

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 40A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7905DN-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 73624

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI1900DL-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 337

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 630mA (Ta), 590mA (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SISB46DN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 104289

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.71 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZ988DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 16265

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), 60A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI6913DQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 71472

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 400µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4670DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 139946

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI5922DU-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 127635

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZ348DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 277

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 30A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.12 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIA931DJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 160155

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI5904DC-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2972

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4965DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 3019

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SI1902CDL-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 181662

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIA936EDJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 3020

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SQ4532AEY-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 10809

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4532ADY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 135915

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7236DP-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 45599

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20.7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 125167

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZ902DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 110652

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZ720DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 109371

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 16.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4200DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 161224

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SQJ560EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 9941

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), 18A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4542DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2980

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SQJ941EP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 3133

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SQJ200EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 165186

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, 60A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZF906DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 98746

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4963BDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 89691

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.4V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI5517DU-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 139934

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი