ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 18

19MT050XF

ნაწილი საფონდო: 2704

FET ტიპი: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 31A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 6V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI1033X-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 174190

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 145mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIA777EDJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 187147

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 118937

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 8V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, 3.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.8V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 80900

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7962DP-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 38892

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 139913

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SUD50NP04-77P-T4E3

ნაწილი საფონდო: 118918

FET ტიპი: N and P-Channel, Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 192809

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.6V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4936CDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 152475

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI3948DV-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 139953

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 56765

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 89660

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 102782

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 165688

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4276DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 139906

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4943BDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 73684

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 197681

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SI8900EDB-T2-E1

ნაწილი საფონდო: 45537

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.4A, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1.1mA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 93108

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 118914

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.6V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 165763

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4948BEY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 125231

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4946BEY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 150097

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 80857

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

სასურველი

Vishay Siliconix

SI3951DV-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 199685

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 101885

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 125159

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 118967

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZ904DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 140725

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A, 16A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 101842

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SIZ918DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 132159

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A, 28A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 118954

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 8V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, 3.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.8V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 93083

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4554DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 106365

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SQ4282EY-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 10808

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი