ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

სახლი
ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ262EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 2536

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), 40A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SQS944ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS944ENW-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 2484

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 1.25A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SI4202DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4202DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 118970

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI1029X-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 164736

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 305mA, 190mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SIA533EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA533EDJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 106980

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

SIA975DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA975DJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 159548

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

SQJ260EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ260EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 2593

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 54A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI1026X-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 107231

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 305mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SI5515CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5515CDC-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 185766

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 800mV @ 250µA,

სასურველი

SI1539CDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1539CDL-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 143752

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 700mA, 500mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 388 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SIA517DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA517DJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 150755

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

SIR770DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR770DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 139904

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.8V @ 250µA,

სასურველი

SI1553CDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1553CDL-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 145828

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 700mA, 500mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სასურველი

SQJB70EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJB70EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 113439

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 250µA,

სასურველი

SI4936BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 168524

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI1965DH-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 100544

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

SIA911ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA911ADJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 139873

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

SQJ990EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ990EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 141592

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SQ1563AEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ1563AEH-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 2535

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 850mA (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სასურველი

SIA537EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA537EDJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 157576

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 193923

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სასურველი

SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ904E-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 54848

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 150474

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 370mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7212DN-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 57376

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.6V @ 250µA,

სასურველი

SQJB40EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJB40EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 152466

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 91401

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SI7972DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 149146

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.7V @ 250µA,

სასურველი

SQJQ910EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ910EL-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 2597

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 39374

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

SQJB00EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJB00EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 152443

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 250µA,

სასურველი

Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 142035

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

SQJQ980EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 2601

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SIZF906ADT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2533

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სასურველი

SI4214DDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4214DDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 188973

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SQJB80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJB80EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 152485

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სასურველი

SI4925BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4925BDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 152470

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

648

«
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
»