| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
| FET ფუნქცია | Standard |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 100V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 30nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V |
| სიმძლავრე - მაქს | 48W |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | PowerPAK® SO-8 Dual |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
