თირისტორები - SCRs - მოდულები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 21

VSKT250-08

ნაწილი საფონდო: 9758

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT250-16

ნაწილი საფონდო: 9763

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT430-18

ნაწილი საფონდო: 9705

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 430A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 675A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT42/06A

ნაწილი საფონდო: 9723

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT92/06A

ნაწილი საფონდო: 9802

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKH500-16

ნაწილი საფონდო: 9705

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT230-16

ნაწილი საფონდო: 9789

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 230A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 510A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH26/06A

ნაწილი საფონდო: 9741

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL71/16A

ნაწილი საფონდო: 9659

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH162/12

ნაწილი საფონდო: 9723

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT500-08

ნაწილი საფონდო: 9721

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT57/08A

ნაწილი საფონდო: 9789

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL56/14A

ნაწილი საფონდო: 9753

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL105/06A

ნაწილი საფონდო: 9713

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH57/08A

ნაწილი საფონდო: 9749

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL41/14A

ნაწილი საფონდო: 9650

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT106/12A

ნაწილი საფონდო: 9727

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT92/14A

ნაწილი საფონდო: 9721

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT105/06A

ნაწილი საფონდო: 9767

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL162/16

ნაწილი საფონდო: 9727

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL500-16

ნაწილი საფონდო: 9760

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT27/06A

ნაწილი საფონდო: 2984

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL105/10A

ნაწილი საფონდო: 9711

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT105/14A

ნაწილი საფონდო: 9709

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT92/16A

ნაწილი საფონდო: 3025

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH92/12A

ნაწილი საფონდო: 9804

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH72/10A

ნაწილი საფონდო: 9723

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT26/08A

ნაწილი საფონდო: 9739

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL170-14D20

ნაწილი საფონდო: 3000

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 170A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 377A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT170-04

ნაწილი საფონდო: 9669

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 170A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 377A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL56/08A

ნაწილი საფონდო: 9750

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH105/04A

ნაწილი საფონდო: 3030

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT105/16A

ნაწილი საფონდო: 9769

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL105/08A

ნაწილი საფონდო: 9749

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKTF200-12HK

ნაწილი საფონდო: 9774

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 444A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKH170-12

ნაწილი საფონდო: 9775

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 170A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 377A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი