თირისტორები - SCRs - მოდულები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 21

VS-VSKL430-18PBF

ნაწილი საფონდო: 3035

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 430A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 675A,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH41/06

ნაწილი საფონდო: 2067

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH105/08

ნაწილი საფონდო: 1549

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL26/04

ნაწილი საფონდო: 1138

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU162/16PBF

ნაწილი საფონდო: 252

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT105/04

ნაწილი საფონდო: 1855

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV41/04

ნაწილი საფონდო: 2047

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL26/16

ნაწილი საფონდო: 2114

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU41/06

ნაწილი საფონდო: 1913

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH162/12PBF

ნაწილი საფონდო: 1129

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL71/12

ნაწილი საფონდო: 1857

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH142/12PBF

ნაწილი საფონდო: 1085

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 140A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 310A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL41/06

ნაწილი საფონდო: 2073

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU41/08

ნაწილი საფონდო: 2043

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT26/16

ნაწილი საფონდო: 2014

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT71/16

ნაწილი საფონდო: 1754

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV105/08

ნაწილი საფონდო: 1830

სტრუქტურა: Common Anode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU91/08

ნაწილი საფონდო: 1743

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU71/12

ნაწილი საფონდო: 1840

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 115A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL105/08

ნაწილი საფონდო: 1884

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH91/08

ნაწილი საფონდო: 1854

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL26/14

ნაწილი საფონდო: 2099

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT320-08PBF

ნაწილი საფონდო: 217

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 320A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 710A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH105/04

ნაწილი საფონდო: 1925

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU71/14

ნაწილი საფონდო: 1824

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 115A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT162/14PBF

ნაწილი საფონდო: 1086

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH136/08PBF

ნაწილი საფონდო: 1226

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 135A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL136/14PBF

ნაწილი საფონდო: 1134

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 135A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT41/08

ნაწილი საფონდო: 1973

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT26/10

ნაწილი საფონდო: 2103

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH26/04

ნაწილი საფონდო: 2070

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL71/06

ნაწილი საფონდო: 1875

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH56/16

ნაწილი საფონდო: 2026

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL105/14

ნაწილი საფონდო: 1813

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL56/12

ნაწილი საფონდო: 1993

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL142/08PBF

ნაწილი საფონდო: 1157

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 140A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 310A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი