Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
FEPF16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16JTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 83743

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-E3-18

ნაწილი საფონდო: 179096

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
VS-16CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDH02-M3/I

ნაწილი საფონდო: 151030

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.03V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GIB2402HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2402HE3/81

ნაწილი საფონდო: 72465

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UGB10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 107496

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GSD2004A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-HE3-08

ნაწილი საფონდო: 180957

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 240V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 225mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GIB2404HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404HE3/81

ნაწილი საფონდო: 72465

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UGB18CCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCTHE3/81

ნაწილი საფონდო: 75239

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 9A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEPF16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16DTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 83648

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UGB18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 94860

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 9A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEPF16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16JT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 87528

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UGB18DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCTHE3/81

ნაწილი საფონდო: 75249

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 9A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UGB10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 110617

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UG30APT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG30APT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 34458

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GIB2401HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2401HE3/45

ნაწილი საფონდო: 87451

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GSD2004S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-G3-08

ნაწილი საფონდო: 185162

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 240V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 225mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEPB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 103025

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UGB18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 90753

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 9A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-16CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDU06HM3/I

ნაწილი საფონდო: 106014

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UGB18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 90829

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 9A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEPB16DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 113329

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEPB16DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DTHE3/81

ნაწილი საფონდო: 74564

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MMBD7000-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-HE3-08

ნაწილი საფონდო: 144372

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
UGB10GCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10GCTHE3/81

ნაწილი საფონდო: 84845

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GSD2004A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-E3-18

ნაწილი საფონდო: 192897

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 240V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 225mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GSD2004A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-G3-18

ნაწილი საფონდო: 141280

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 240V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 225mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEPB16FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16FT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 69929

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UG10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10FCT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 143640

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEPF16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16DT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 86838

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEPB16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 82943

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UGF18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18ACT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 100167

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 9A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEPB16CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 75327

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი