ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

WRM0207C-560RFI

WRM0207C-560RFI

ნაწილი საფონდო: 1987

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LRF1206-R005JW

LRF1206-R005JW

ნაწილი საფონდო: 9907

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±900ppm/°C,

სასურველი
PCF0603-13-1K18BT1

PCF0603-13-1K18BT1

ნაწილი საფონდო: 8345

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
LR2010-R04FW

LR2010-R04FW

ნაწილი საფონდო: 8377

წინააღმდეგობა: 40 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
PCF0402PR-1K0BT1

PCF0402PR-1K0BT1

ნაწილი საფონდო: 113057

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PCF0402PR-100RBT1

PCF0402PR-100RBT1

ნაწილი საფონდო: 7924

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PCF0805-12-150KBT1

PCF0805-12-150KBT1

ნაწილი საფონდო: 4767

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
PCF1206-13-37R4BT1

PCF1206-13-37R4BT1

ნაწილი საფონდო: 141864

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
LRC-LR2010LF-01-R040F

LRC-LR2010LF-01-R040F

ნაწილი საფონდო: 9444

წინააღმდეგობა: 40 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B2B10R

M55342E06B2B10R

ნაწილი საფონდო: 4487

წინააღმდეგობა: 2.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B28B0R

D55342E07B28B0R

ნაწილი საფონდო: 4485

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B30B1R

M55342E06B30B1R

ნაწილი საფონდო: 4513

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B28B0R

M55342E06B28B0R

ნაწილი საფონდო: 4557

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B3B32R

D55342E07B3B32R

ნაწილი საფონდო: 4459

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B75B0R

D55342E07B75B0R

ნაწილი საფონდო: 4508

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B5B11R

D55342E07B5B11R

ნაწილი საფონდო: 4470

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B511AR

M55342E12B511AR

ნაწილი საფონდო: 9150

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B26B1R

D55342E07B26B1R

ნაწილი საფონდო: 4445

წინააღმდეგობა: 26.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B12B1R

D55342E07B12B1R

ნაწილი საფონდო: 4509

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HSF-1-100-68R0-K-LF

HSF-1-100-68R0-K-LF

ნაწილი საფონდო: 7273

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B12B1R

M55342E06B12B1R

ნაწილი საფონდო: 4479

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B71B5R

D55342E07B71B5R

ნაწილი საფონდო: 4457

წინააღმდეგობა: 71.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B47B5R

M55342E12B47B5R

ნაწილი საფონდო: 4437

წინააღმდეგობა: 47.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B249AR

D55342E07B249AR

ნაწილი საფონდო: 4497

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B10B0R

D55342E07B10B0R

ნაწილი საფონდო: 4447

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-3482-B

PFC-W1206LF-03-3482-B

ნაწილი საფონდო: 3544

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-4991-B

PFC-W1206LF-03-4991-B

ნაწილი საფონდო: 166857

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-3321-B

PFC-W1206LF-03-3321-B

ნაწილი საფონდო: 166891

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0805LF-03-2492-B

PFC-W0805LF-03-2492-B

ნაწილი საფონდო: 177695

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-4752-B

PFC-W1206LF-03-4752-B

ნაწილი საფონდო: 3524

წინააღმდეგობა: 47.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0805LF-03-1052-B

PFC-W0805LF-03-1052-B

ნაწილი საფონდო: 3519

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0402LF-03-4991-B

PFC-W0402LF-03-4991-B

ნაწილი საფონდო: 157875

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-4990-B

PFC-W1206LF-03-4990-B

ნაწილი საფონდო: 3614

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-2001-B

PFC-W1206LF-03-2001-B

ნაწილი საფონდო: 3564

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-6812-B

PFC-W1206LF-03-6812-B

ნაწილი საფონდო: 3546

წინააღმდეგობა: 68.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0805LF-03-1472-B

PFC-W0805LF-03-1472-B

ნაწილი საფონდო: 177666

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი