ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

PFC-W0805LF-03-4991-B

PFC-W0805LF-03-4991-B

ნაწილი საფონდო: 4841

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-1004-B

PFC-W1206LF-03-1004-B

ნაწილი საფონდო: 3788

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B1B24R

D55342E07B1B24R

ნაწილი საფონდო: 3660

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0603LF-03-49R9-B

PFC-W0603LF-03-49R9-B

ნაწილი საფონდო: 2928

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-2492-B

PFC-W1206LF-03-2492-B

ნაწილი საფონდო: 7495

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-2491-B

PFC-W1206LF-03-2491-B

ნაწილი საფონდო: 9651

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0805LF-03-1502-B

PFC-W0805LF-03-1502-B

ნაწილი საფონდო: 9518

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-1000-B

PFC-W1206LF-03-1000-B

ნაწილი საფონდო: 9630

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-2000-B

PFC-W1206LF-03-2000-B

ნაწილი საფონდო: 9584

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W1206LF-03-1473-B

PFC-W1206LF-03-1473-B

ნაწილი საფონდო: 9638

წინააღმდეგობა: 147 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0805LF-03-1152-B

PFC-W0805LF-03-1152-B

ნაწილი საფონდო: 162995

წინააღმდეგობა: 11.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B56B2R

M55342E12B56B2R

ნაწილი საფონდო: 5871

წინააღმდეგობა: 56.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B15A0R

M55342E06B15A0R

ნაწილი საფონდო: 6358

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0805LF-03-2002-B

PFC-W0805LF-03-2002-B

ნაწილი საფონდო: 162975

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B1B50R

M55342E12B1B50R

ნაწილი საფონდო: 5837

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B121AR

D55342E07B121AR

ნაწილი საფონდო: 6150

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B15B0R

M55342E12B15B0R

ნაწილი საფონდო: 5823

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
LRC-LRF2512LF-01-R025F

LRC-LRF2512LF-01-R025F

ნაწილი საფონდო: 6336

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0805LF-03-2003-B

PFC-W0805LF-03-2003-B

ნაწილი საფონდო: 177687

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0805LF-03-1501-B

PFC-W0805LF-03-1501-B

ნაწილი საფონდო: 8725

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B24B9R

D55342E07B24B9R

ნაწილი საფონდო: 6140

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B49B9R

M55342E06B49B9R

ნაწილი საფონდო: 6347

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0603LF-03-6191-B

PFC-W0603LF-03-6191-B

ნაწილი საფონდო: 8714

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B61B9R

D55342E07B61B9R

ნაწილი საფონდო: 6141

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0603LF-03-2001-B

PFC-W0603LF-03-2001-B

ნაწილი საფონდო: 8716

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B1B00R

D55342E07B1B00R

ნაწილი საფონდო: 6158

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B10A0R

M55342E06B10A0R

ნაწილი საფონდო: 15932

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PFC-W0805LF-03-4990-B

PFC-W0805LF-03-4990-B

ნაწილი საფონდო: 8720

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B60B4R

M55342E06B60B4R

ნაწილი საფონდო: 6359

წინააღმდეგობა: 60.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
WRM0204C-750RFI

WRM0204C-750RFI

ნაწილი საფონდო: 3873

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PCF0805R-40K2BT1

PCF0805R-40K2BT1

ნაწილი საფონდო: 4115

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
WRM0204C-100KFI

WRM0204C-100KFI

ნაწილი საფონდო: 3876

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PCF0402R-12KBT1

PCF0402R-12KBT1

ნაწილი საფონდო: 3432

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
PCF0603R-402RBT1

PCF0603R-402RBT1

ნაწილი საფონდო: 4297

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
WRM0207C-180KFI

WRM0207C-180KFI

ნაწილი საფონდო: 172890

წინააღმდეგობა: 180 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WRM0207C-100RFI

WRM0207C-100RFI

ნაწილი საფონდო: 5242

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი