ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

D55342E07B2B00R

D55342E07B2B00R

ნაწილი საფონდო: 7503

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B90B9R

D55342E07B90B9R

ნაწილი საფონდო: 7145

წინააღმდეგობა: 90.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B2B40R

M55342E06B2B40R

ნაწილი საფონდო: 7158

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B1B24R

M55342E06B1B24R

ნაწილი საფონდო: 7181

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B51B1R

M55342E06B51B1R

ნაწილი საფონდო: 7128

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B13B3R

M55342E06B13B3R

ნაწილი საფონდო: 7109

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B22B1R

D55342E07B22B1R

ნაწილი საფონდო: 7078

წინააღმდეგობა: 22.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B3B74R

M55342E06B3B74R

ნაწილი საფონდო: 7209

წინააღმდეგობა: 3.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B9B09R

D55342E07B9B09R

ნაწილი საფონდო: 7126

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B1B58R

D55342E07B1B58R

ნაწილი საფონდო: 7070

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B6B49R

M55342E06B6B49R

ნაწილი საფონდო: 7091

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B13B0R

M55342E06B13B0R

ნაწილი საფონდო: 7154

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B121AR

M55342E06B121AR

ნაწილი საფონდო: 7163

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B2B49R

M55342E06B2B49R

ნაწილი საფონდო: 4725

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B21B5R

D55342E07B21B5R

ნაწილი საფონდო: 4759

წინააღმდეგობა: 21.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B511AR

M55342E06B511AR

ნაწილი საფონდო: 7190

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B3B32R

M55342E06B3B32R

ნაწილი საფონდო: 7158

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B150AR

D55342E07B150AR

ნაწილი საფონდო: 7056

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B3B24R

M55342E06B3B24R

ნაწილი საფონდო: 7171

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B5B11R

M55342E12B5B11R

ნაწილი საფონდო: 7024

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B511AR

D55342E07B511AR

ნაწილი საფონდო: 7068

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B4B75R

M55342E06B4B75R

ნაწილი საფონდო: 7113

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B16B9R

M55342E12B16B9R

ნაწილი საფონდო: 4747

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B15B0R

D55342E07B15B0R

ნაწილი საფონდო: 4781

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B604AR

D55342E07B604AR

ნაწილი საფონდო: 7140

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B2B15R

M55342E06B2B15R

ნაწილი საფონდო: 7122

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B3B01R

M55342E06B3B01R

ნაწილი საფონდო: 7111

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B7B32R

M55342E06B7B32R

ნაწილი საფონდო: 7121

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B3B16R

M55342E06B3B16R

ნაწილი საფონდო: 8176

წინააღმდეგობა: 3.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B8B66R

D55342E07B8B66R

ნაწილი საფონდო: 7096

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B4B70R

D55342E07B4B70R

ნაწილი საფონდო: 4765

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B4B75R

D55342E07B4B75R

ნაწილი საფონდო: 7101

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B47B5R

D55342E07B47B5R

ნაწილი საფონდო: 7067

წინააღმდეგობა: 47.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E12B866AR

M55342E12B866AR

ნაწილი საფონდო: 7106

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
M55342E06B115BR

M55342E06B115BR

ნაწილი საფონდო: 7104

წინააღმდეგობა: 115 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
D55342E07B49B9R

D55342E07B49B9R

ნაწილი საფონდო: 7055

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Military, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი