რეზისტორული ქსელები, მასივები

668A2002BLF

668A2002BLF

ნაწილი საფონდო: 6407

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6983R10KBLF

6983R10KBLF

ნაწილი საფონდო: 6220

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6943R10KBLF

6943R10KBLF

ნაწილი საფონდო: 6246

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
664A2002ALF

664A2002ALF

ნაწილი საფონდო: 6170

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6943R1KALF

6943R1KALF

ნაწილი საფონდო: 6215

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6983R1KBLF

6983R1KBLF

ნაწილი საფონდო: 5147

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6983R20KBLF

6983R20KBLF

ნაწილი საფონდო: 5157

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6983R10KFLF

6983R10KFLF

ნაწილი საფონდო: 5196

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.5%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6983R10KDLF

6983R10KDLF

ნაწილი საფონდო: 5224

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6983R100KFLF

6983R100KFLF

ნაწილი საფონდო: 5184

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.5%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6943R1KBLF

6943R1KBLF

ნაწილი საფონდო: 5132

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6983R100KBLF

6983R100KBLF

ნაწილი საფონდო: 5201

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6983R100KDLF

6983R100KDLF

ნაწილი საფონდო: 5164

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6943R10KALF

6943R10KALF

ნაწილი საფონდო: 5180

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6943R10KDLF

6943R10KDLF

ნაწილი საფონდო: 5192

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
6943R100KBLF

6943R100KBLF

ნაწილი საფონდო: 5157

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
668A1002DLF

668A1002DLF

ნაწილი საფონდო: 5170

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
668A1003BLF

668A1003BLF

ნაწილი საფონდო: 5212

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
668A1002FLF

668A1002FLF

ნაწილი საფონდო: 5218

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.5%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
668A1001DLF

668A1001DLF

ნაწილი საფონდო: 5196

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
664A1003ALF

664A1003ALF

ნაწილი საფონდო: 5542

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
668A1002BLF

668A1002BLF

ნაწილი საფონდო: 5146

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
664A1002DLF

664A1002DLF

ნაწილი საფონდო: 5211

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
664A1002ALF

664A1002ALF

ნაწილი საფონდო: 5190

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
664A1002BLF

664A1002BLF

ნაწილი საფონდო: 5571

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
SQS16A33R0JSLF

SQS16A33R0JSLF

ნაწილი საფონდო: 6206

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
SFN08B4702CBQLF7

SFN08B4702CBQLF7

ნაწილი საფონდო: 5246

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±0.25%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
SQS16A5100JSLF

SQS16A5100JSLF

ნაწილი საფონდო: 5195

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
SFN08B1002CBQLF7

SFN08B1002CBQLF7

ნაწილი საფონდო: 5245

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.25%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
628B103TR4

628B103TR4

ნაწილი საფონდო: 5216

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
628B472TR4

628B472TR4

ნაწილი საფონდო: 5167

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
628A103TR4

628A103TR4

ნაწილი საფონდო: 65437

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
628B103

628B103

ნაწილი საფონდო: 69170

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
L091S103LF

L091S103LF

ნაწილი საფონდო: 6199

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
L103S103LF

L103S103LF

ნაწილი საფონდო: 170305

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
L083S101LF

L083S101LF

ნაწილი საფონდო: 5191

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი