PMIC - კარიბჭის დრაივერები

LM5110-3SD/NOPB

LM5110-3SD/NOPB

ნაწილი საფონდო: 112260

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
LM5109ASDX/NOPB

LM5109ASDX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 130221

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
TPS2812PWR

TPS2812PWR

ნაწილი საფონდო: 88147

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
LM5110-1SD/NOPB

LM5110-1SD/NOPB

ნაწილი საფონდო: 112307

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
LM5114AMF/S7003109

LM5114AMF/S7003109

ნაწილი საფონდო: 108573

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 12.6V,

სასურველი
TPS28226DRBR

TPS28226DRBR

ნაწილი საფონდო: 104607

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 6.8V ~ 8.8V,

სასურველი
TPS2814DR

TPS2814DR

ნაწილი საფონდო: 96391

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
UCC27517ADBVR

UCC27517ADBVR

ნაწილი საფონდო: 121390

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.4V,

სასურველი
UCC27525DR

UCC27525DR

ნაწილი საფონდო: 82279

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.3V,

სასურველი
TPS28225TDRBRQ1

TPS28225TDRBRQ1

ნაწილი საფონდო: 88673

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 8.8V,

სასურველი
LM5114BSDX/NOPB

LM5114BSDX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 108518

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 12.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

სასურველი
LM5106SDX/NOPB

LM5106SDX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 94270

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
SN75451BDRE4

SN75451BDRE4

ნაწილი საფონდო: 192644

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LM5114BMFX/S7003094

LM5114BMFX/S7003094

ნაწილი საფონდო: 108567

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 12.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

სასურველი
TPS28225DRBRG4

TPS28225DRBRG4

ნაწილი საფონდო: 108122

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 8.8V,

სასურველი
TPS2828DBVRG4

TPS2828DBVRG4

ნაწილი საფონდო: 106379

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
UCC27512DRSR

UCC27512DRSR

ნაწილი საფონდო: 121401

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.4V,

სასურველი
LM5114AMFX/NOPB

LM5114AMFX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 108558

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 12.6V,

სასურველი
TPS2829QDBVRQ1

TPS2829QDBVRQ1

ნაწილი საფონდო: 90202

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V,

სასურველი
SN75452BDRE4

SN75452BDRE4

ნაწილი საფონდო: 196028

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
TPS2829DBVR

TPS2829DBVR

ნაწილი საფონდო: 106409

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
LM5110-1MX/NOPB

LM5110-1MX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 104007

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
UCC27523DSDR

UCC27523DSDR

ნაწილი საფონდო: 82229

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.3V,

სასურველი
LM5109BMAX/NOPB

LM5109BMAX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 130205

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
LM5106MMX/NOPB

LM5106MMX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 94212

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
LM5110-3MX/NOPB

LM5110-3MX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 112311

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
SN75453BDRG4

SN75453BDRG4

ნაწილი საფონდო: 192021

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
SN75452BPSRG4

SN75452BPSRG4

ნაწილი საფონდო: 180171

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LM5110-2MX/NOPB

LM5110-2MX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 112264

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
LM5114ASDX/NOPB

LM5114ASDX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 108532

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 12.6V,

სასურველი
LM5114BMF/S7003110

LM5114BMF/S7003110

ნაწილი საფონდო: 108494

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 12.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

სასურველი
UCC27525DGNR

UCC27525DGNR

ნაწილი საფონდო: 82232

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.3V,

სასურველი
LM5109MAX/NOPB

LM5109MAX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 102759

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
LM5111-4MY/NOPB

LM5111-4MY/NOPB

ნაწილი საფონდო: 112269

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
LM5112SDX/NOPB

LM5112SDX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 53065

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,

სასურველი
SN75477DR

SN75477DR

ნაწილი საფონდო: 198226

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი