იზოლატორები - კარიბჭის დრაივერები

UCC5320ECDR

UCC5320ECDR

ნაწილი საფონდო: 67750

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 72ns, 75ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC5320SCDR

UCC5320SCDR

ნაწილი საფონდო: 67756

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 72ns, 75ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC5320SCDWVR

UCC5320SCDWVR

ნაწილი საფონდო: 92

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 75ns, 75ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC21521DWR

UCC21521DWR

ნაწილი საფონდო: 26145

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
UCC21225ANPLR

UCC21225ANPLR

ნაწილი საფონდო: 181

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 6ns,

სასურველი
ISO5851QDWQ1

ISO5851QDWQ1

ნაწილი საფონდო: 13667

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი
ISO5451QDWQ1

ISO5451QDWQ1

ნაწილი საფონდო: 21098

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 50kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი
ISO5451QDWRQ1

ISO5451QDWRQ1

ნაწილი საფონდო: 27616

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 50kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი
UCC21520QDWRQ1

UCC21520QDWRQ1

ნაწილი საფონდო: 166

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 6ns,

სასურველი
UCC21520ADWR

UCC21520ADWR

ნაწილი საფონდო: 27758

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
ISO5852SQDWRQ1

ISO5852SQDWRQ1

ნაწილი საფონდო: 15766

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი
ISO5852SQDWQ1

ISO5852SQDWQ1

ნაწილი საფონდო: 12492

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი
UCC20225NPLR

UCC20225NPLR

ნაწილი საფონდო: 183

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 6ns,

სასურველი
ISO5451DWR

ISO5451DWR

ნაწილი საფონდო: 32570

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 50kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი
ISO5452DWR

ISO5452DWR

ნაწილი საფონდო: 29597

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 50kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი
ISO5500DW

ISO5500DW

ნაწილი საფონდო: 10376

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4243Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 25kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 300ns, 300ns,

სასურველი
UCC5320ECD

UCC5320ECD

ნაწილი საფონდო: 25925

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 72ns, 75ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC5390ECD

UCC5390ECD

ნაწილი საფონდო: 1569

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 100ns, 100ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC5320SCD

UCC5320SCD

ნაწილი საფონდო: 25924

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 72ns, 75ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC20225NPLT

UCC20225NPLT

ნაწილი საფონდო: 23088

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 6ns,

სასურველი
UCC5310MCD

UCC5310MCD

ნაწილი საფონდო: 25944

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 75ns, 75ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC5390SCD

UCC5390SCD

ნაწილი საფონდო: 2778

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 100ns, 100ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC21520QDWQ1

UCC21520QDWQ1

ნაწილი საფონდო: 2298

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
UCC5350SBD

UCC5350SBD

ნაწილი საფონდო: 2824

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 100ns, 100ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC5350MCD

UCC5350MCD

ნაწილი საფონდო: 5286

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 65ns, 65ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC5390ECDWVR

UCC5390ECDWVR

ნაწილი საფონდო: 4350

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 100ns, 100ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC5310MCDWV

UCC5310MCDWV

ნაწილი საფონდო: 4103

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 75ns, 75ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC21225ANPLT

UCC21225ANPLT

ნაწილი საფონდო: 23027

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 6ns,

სასურველი
UCC21520AQDWQ1

UCC21520AQDWQ1

ნაწილი საფონდო: 4583

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 6ns,

სასურველი
ISO5452QDWQ1

ISO5452QDWQ1

ნაწილი საფონდო: 19918

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 50kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი
ISO5452DW

ISO5452DW

ნაწილი საფონდო: 15879

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 50kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი
UCC5390ECDWV

UCC5390ECDWV

ნაწილი საფონდო: 6390

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 100ns, 100ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,

სასურველი
UCC21220D

UCC21220D

ნაწილი საფონდო: 7875

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 40ns, 40ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.5ns,

სასურველი
UCC20520DW

UCC20520DW

ნაწილი საფონდო: 12204

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
UCC21520ADW

UCC21520ADW

ნაწილი საფონდო: 12188

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
ISO5851DW

ISO5851DW

ნაწილი საფონდო: 8904

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,

სასურველი