ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,
ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,
ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4243Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 25kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 300ns, 300ns,
ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 50kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 110ns, 110ns,
ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 75ns, 75ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,
ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 100ns, 100ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,
ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5700Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 30ns, 30ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 6ns,
ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100V/ns, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 40ns, 40ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.5ns,
ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 65ns, 65ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 20ns,
