| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ტექნოლოგია | Capacitive Coupling |
| არხების რაოდენობა | 1 |
| ძაბვა - იზოლაცია | 3000Vrms |
| გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური) | 100kV/µs |
| გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს) | 65ns, 65ns |
| პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს) | 20ns |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 10ns, 10ns |
| მიმდინარე - გამომავალი მაღალი, დაბალი | 5A, 5A |
| მიმდინარე - პიკური გამომავალი | - |
| ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი) | - |
| მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური) | - |
| ძაბვა - მიწოდება | 13.2V ~ 33V |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 125°C |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOIC |
| დამტკიცებები | CQC, CSA, UR, VDE |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
