PMIC - კარიბჭის დრაივერები

UCC27200DRG4

UCC27200DRG4

ნაწილი საფონდო: 48165

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 17V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 3V, 8V,

სასურველი
UCC27524ADGNR

UCC27524ADGNR

ნაწილი საფონდო: 82261

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.3V,

სასურველი
UCC37324DGNRG4

UCC37324DGNRG4

ნაწილი საფონდო: 85062

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
TPS2814PWG4

TPS2814PWG4

ნაწილი საფონდო: 54185

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
UCC27324PG4

UCC27324PG4

ნაწილი საფონდო: 48319

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
UCC37321DRG4

UCC37321DRG4

ნაწილი საფონდო: 65771

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.1V, 2.7V,

სასურველი
UCC27523DGN

UCC27523DGN

ნაწილი საფონდო: 46293

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.3V,

სასურველი
UCC27321QDRQ1

UCC27321QDRQ1

ნაწილი საფონდო: 54262

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.1V, 2.7V,

სასურველი
UCC37322DR

UCC37322DR

ნაწილი საფონდო: 65848

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.1V, 2.7V,

სასურველი
UCC27528DSDT

UCC27528DSDT

ნაწილი საფონდო: 41406

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V,

სასურველი
UCC27425DGNR

UCC27425DGNR

ნაწილი საფონდო: 82212

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
LM25101BMAX/NOPB

LM25101BMAX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 53288

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 2.3V, -,

სასურველი
TPS2834DR

TPS2834DR

ნაწილი საფონდო: 63449

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
LM5100ASD/NOPB

LM5100ASD/NOPB

ნაწილი საფონდო: 52571

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 2.3V, -,

სასურველი
LM5101CMYE/NOPB

LM5101CMYE/NOPB

ნაწილი საფონდო: 41656

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 2.3V, -,

სასურველი
TPS2816DBVR

TPS2816DBVR

ნაწილი საფონდო: 82275

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
UCC27325DGNR

UCC27325DGNR

ნაწილი საფონდო: 82273

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
UCC27324DR

UCC27324DR

ნაწილი საფონდო: 82237

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
TPS2814PG4

TPS2814PG4

ნაწილი საფონდო: 48201

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
TPS2816DBVRG4

TPS2816DBVRG4

ნაწილი საფონდო: 82272

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
UCC37322DGNR

UCC37322DGNR

ნაწილი საფონდო: 59228

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.1V, 2.7V,

სასურველი
TPS2828DBVTG4

TPS2828DBVTG4

ნაწილი საფონდო: 71376

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
UCC27200DDARG4

UCC27200DDARG4

ნაწილი საფონდო: 49692

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 17V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 3V, 8V,

სასურველი
UCD7138DRSR

UCD7138DRSR

ნაწილი საფონდო: 88781

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.08V, 1.93V,

სასურველი
DRV8304HRHAR

DRV8304HRHAR

ნაწილი საფონდო: 10758

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 3, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 6V ~ 38V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 1.5V,

სასურველი
TPS2815DR

TPS2815DR

ნაწილი საფონდო: 82255

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
TPS2817DBVRG4

TPS2817DBVRG4

ნაწილი საფონდო: 82237

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
UCC27423PG4

UCC27423PG4

ნაწილი საფონდო: 50037

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
UCC27423DR

UCC27423DR

ნაწილი საფონდო: 82196

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
UCC27325PG4

UCC27325PG4

ნაწილი საფონდო: 48277

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
UCC27324QDRQ1

UCC27324QDRQ1

ნაწილი საფონდო: 69662

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
UCC27323DGNR

UCC27323DGNR

ნაწილი საფონდო: 82186

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
UCC27423DGNR

UCC27423DGNR

ნაწილი საფონდო: 82220

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
TPS2817DBVT

TPS2817DBVT

ნაწილი საფონდო: 48311

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
TPS2830PWPRG4

TPS2830PWPRG4

ნაწილი საფონდო: 62039

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 15V,

სასურველი
UCC27524AQDRQ1

UCC27524AQDRQ1

ნაწილი საფონდო: 69649

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.3V,

სასურველი