PMIC - კარიბჭის დრაივერები

UCC37324PG4

UCC37324PG4

ნაწილი საფონდო: 48291

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
UCC27511DBVT

UCC27511DBVT

ნაწილი საფონდო: 68736

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.4V,

სასურველი
TPS2816DBVTG4

TPS2816DBVTG4

ნაწილი საფონდო: 55226

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
LM5100AMX/NOPB

LM5100AMX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 49399

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 2.3V, -,

სასურველი
LM25101AMRX/NOPB

LM25101AMRX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 52132

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 2.3V, -,

სასურველი
UCC27533DBVR

UCC27533DBVR

ნაწილი საფონდო: 86888

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 32V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.2V, 2.2V,

სასურველი
LM9061QDRQ1

LM9061QDRQ1

ნაწილი საფონდო: 51393

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 7V ~ 26V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,

სასურველი
UCD7232RTJT

UCD7232RTJT

ნაწილი საფონდო: 69030

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.7V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LM5060Q1MM/NOPB

LM5060Q1MM/NOPB

ნაწილი საფონდო: 59484

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5.5V ~ 65V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
TPS28226DRBTG4

TPS28226DRBTG4

ნაწილი საფონდო: 72574

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 6.8V ~ 8.8V,

სასურველი
TPS2829DBVTG4

TPS2829DBVTG4

ნაწილი საფონდო: 71288

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
LM25101AMX/NOPB

LM25101AMX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 52111

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 2.3V, -,

სასურველი
TPS2811QPWRQ1

TPS2811QPWRQ1

ნაწილი საფონდო: 60080

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
UCC27200ADDAR

UCC27200ADDAR

ნაწილი საფონდო: 50081

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 17V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 3V, 8V,

სასურველი
UCC27322QDRQ1

UCC27322QDRQ1

ნაწილი საფონდო: 54301

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.1V, 2.7V,

სასურველი
SM74104MAX/NOPB

SM74104MAX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 60591

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
UCC27531DBVT

UCC27531DBVT

ნაწილი საფონდო: 47210

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 32V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.2V, 2.2V,

სასურველი
LM5101CMYX/NOPB

LM5101CMYX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 76310

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 2.3V, -,

სასურველი
UCC27322DGNR

UCC27322DGNR

ნაწილი საფონდო: 50987

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.1V, 2.7V,

სასურველი
UC2715DTR

UC2715DTR

ნაწილი საფონდო: 57118

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 7V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
SN75372PSRE4

SN75372PSRE4

ნაწილი საფონდო: 58256

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
UCC27201DRMR

UCC27201DRMR

ნაწილი საფონდო: 48171

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 17V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

სასურველი
UCC27538DBVR

UCC27538DBVR

ნაწილი საფონდო: 86859

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 32V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.2V, 2.2V,

სასურველი
UCC27518DBVR

UCC27518DBVR

ნაწილი საფონდო: 121411

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V,

სასურველი
TPS2812DRG4

TPS2812DRG4

ნაწილი საფონდო: 88117

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
SN75452BD

SN75452BD

ნაწილი საფონდო: 93918

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
UCC27524DGNR

UCC27524DGNR

ნაწილი საფონდო: 82241

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.3V,

სასურველი
LM5112Q1SDX/NOPB

LM5112Q1SDX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 133142

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,

სასურველი
TPS2829DBVRG4

TPS2829DBVRG4

ნაწილი საფონდო: 106370

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 4V,

სასურველი
LM5112MYX/NOPB

LM5112MYX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 129202

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,

სასურველი
SN75451BDRG4

SN75451BDRG4

ნაწილი საფონდო: 119441

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LM5111-2MY/NOPB

LM5111-2MY/NOPB

ნაწილი საფონდო: 112253

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
LM5110-1SDX/NOPB

LM5110-1SDX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 112298

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
LM5109AMAX/NOPB

LM5109AMAX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 130192

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 14V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
SN75453BPSR

SN75453BPSR

ნაწილი საფონდო: 129757

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LM5134BSDX/NOPB

LM5134BSDX/NOPB

ნაწილი საფონდო: 110979

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 12.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

სასურველი