ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C1J715RBTG

RN73C1J715RBTG

ნაწილი საფონდო: 78914

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A8K06BTG

RN73C2A8K06BTG

ნაწილი საფონდო: 78963

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J4K87BTG

RN73C1J4K87BTG

ნაწილი საფონდო: 78893

წინააღმდეგობა: 4.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A357RBTG

RN73C2A357RBTG

ნაწილი საფონდო: 78949

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A6R81BTG

RN73C2A6R81BTG

ნაწილი საფონდო: 78920

წინააღმდეგობა: 6.81 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A2K37BTDG

RN73C2A2K37BTDG

ნაწილი საფონდო: 78940

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A18R2BTG

RN73C2A18R2BTG

ნაწილი საფონდო: 78941

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J23R7BTG

RN73C1J23R7BTG

ნაწილი საფონდო: 78949

წინააღმდეგობა: 23.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J5K23BTG

RN73C1J5K23BTG

ნაწილი საფონდო: 78935

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J29R4BTG

RN73C1J29R4BTG

ნაწილი საფონდო: 132

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A249RBTG

RN73C2A249RBTG

ნაწილი საფონდო: 78924

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A15R8BTG

RN73C2A15R8BTG

ნაწილი საფონდო: 78891

წინააღმდეგობა: 15.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A68R1BTG

RN73C2A68R1BTG

ნაწილი საფონდო: 78918

წინააღმდეგობა: 68.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A4K02BTG

RN73C2A4K02BTG

ნაწილი საფონდო: 78943

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J475RBTG

RN73C1J475RBTG

ნაწილი საფონდო: 78930

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A5R36BTG

RN73C2A5R36BTG

ნაწილი საფონდო: 78980

წინააღმდეგობა: 5.36 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J102RBTG

RN73C1J102RBTG

ნაწილი საფონდო: 78971

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A17K8BTG

RN73C2A17K8BTG

ნაწილი საფონდო: 78984

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J2K8BTG

RN73C1J2K8BTG

ნაწილი საფონდო: 78927

წინააღმდეგობა: 2.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A365KBTG

RN73C2A365KBTG

ნაწილი საფონდო: 78938

წინააღმდეგობა: 365 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K65BTG

RN73C2A1K65BTG

ნაწილი საფონდო: 75161

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A3K09BTG

RN73C2A3K09BTG

ნაწილი საფონდო: 78906

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J1K3BTG

RN73C1J1K3BTG

ნაწილი საფონდო: 78939

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J330RBTG

RN73C1J330RBTG

ნაწილი საფონდო: 78977

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J10K7BTG

RN73C1J10K7BTG

ნაწილი საფონდო: 78906

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J24K9BTG

RN73C1J24K9BTG

ნაწილი საფონდო: 78924

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A12R4BTG

RN73C2A12R4BTG

ნაწილი საფონდო: 78945

წინააღმდეგობა: 12.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J5K76BTG

RN73C1J5K76BTG

ნაწილი საფონდო: 78944

წინააღმდეგობა: 5.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A357KBTG

RN73C2A357KBTG

ნაწილი საფონდო: 78951

წინააღმდეგობა: 357 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A5R49BTG

RN73C2A5R49BTG

ნაწილი საფონდო: 78892

წინააღმდეგობა: 5.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A130KBTG

RN73C2A130KBTG

ნაწილი საფონდო: 78900

წინააღმდეგობა: 130 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J51R1BTG

RN73C1J51R1BTG

ნაწილი საფონდო: 78976

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J1K96BTG

RN73C1J1K96BTG

ნაწილი საფონდო: 78977

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K96BTG

RN73C2A1K96BTG

ნაწილი საფონდო: 78916

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J18K7BTG

RN73C1J18K7BTG

ნაწილი საფონდო: 78980

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A121KBTG

RN73C2A121KBTG

ნაწილი საფონდო: 78959

წინააღმდეგობა: 121 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი