ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C2A649RBTG

RN73C2A649RBTG

ნაწილი საფონდო: 78971

წინააღმდეგობა: 649 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A866RBTG

RN73C2A866RBTG

ნაწილი საფონდო: 78886

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J909RBTG

RN73C1J909RBTG

ნაწილი საფონდო: 78932

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A48K7BTG

RN73C2A48K7BTG

ნაწილი საფონდო: 78916

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A46K4BTG

RN73C2A46K4BTG

ნაწილი საფონდო: 78961

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A182KBTG

RN73C2A182KBTG

ნაწილი საფონდო: 78934

წინააღმდეგობა: 182 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J18R2BTG

RN73C1J18R2BTG

ნაწილი საფონდო: 78894

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A53K6BTG

RN73C2A53K6BTG

ნაწილი საფონდო: 78923

წინააღმდეგობა: 53.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J14R7BTG

RN73C1J14R7BTG

ნაწილი საფონდო: 78903

წინააღმდეგობა: 14.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J681RBTG

RN73C1J681RBTG

ნაწილი საფონდო: 78898

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A12R1BTG

RN73C2A12R1BTG

ნაწილი საფონდო: 78906

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A2K21BTG

RN73C2A2K21BTG

ნაწილი საფონდო: 78984

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A33K2BTDG

RN73C2A33K2BTDG

ნაწილი საფონდო: 78927

წინააღმდეგობა: 33.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A464RBTG

RN73C2A464RBTG

ნაწილი საფონდო: 78984

წინააღმდეგობა: 464 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J732RBTG

RN73C1J732RBTG

ნაწილი საფონდო: 78924

წინააღმდეგობა: 732 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A90K9BTG

RN73C2A90K9BTG

ნაწილი საფონდო: 78966

წინააღმდეგობა: 90.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A29K4BTG

RN73C2A29K4BTG

ნაწილი საფონდო: 75150

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J12R1BTG

RN73C1J12R1BTG

ნაწილი საფონდო: 78966

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A37R4BTG

RN73C2A37R4BTG

ნაწილი საფონდო: 75163

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A69K8BTG

RN73C2A69K8BTG

ნაწილი საფონდო: 78982

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A84R5BTG

RN73C2A84R5BTG

ნაწილი საფონდო: 78904

წინააღმდეგობა: 84.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A8K66BTG

RN73C2A8K66BTG

ნაწილი საფონდო: 78976

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J78R7BTG

RN73C1J78R7BTG

ნაწილი საფონდო: 78930

წინააღმდეგობა: 78.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A10K5BTG

RN73C2A10K5BTG

ნაწილი საფონდო: 78954

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J20R5BTG

RN73C1J20R5BTG

ნაწილი საფონდო: 78902

წინააღმდეგობა: 20.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A80K6BTG

RN73C2A80K6BTG

ნაწილი საფონდო: 78932

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J1K37BTG

RN73C1J1K37BTG

ნაწილი საფონდო: 78980

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A57R6BTG

RN73C2A57R6BTG

ნაწილი საფონდო: 78910

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J36K5BTG

RN73C1J36K5BTG

ნაწილი საფონდო: 78911

წინააღმდეგობა: 36.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A44K2BTG

RN73C2A44K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78951

წინააღმდეგობა: 44.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A187RBTG

RN73C2A187RBTG

ნაწილი საფონდო: 78955

წინააღმდეგობა: 187 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J71R5BTG

RN73C1J71R5BTG

ნაწილი საფონდო: 78958

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A931RBTG

RN73C2A931RBTG

ნაწილი საფონდო: 75201

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A324KBTG

RN73C2A324KBTG

ნაწილი საფონდო: 78912

წინააღმდეგობა: 324 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J590RBTG

RN73C1J590RBTG

ნაწილი საფონდო: 78924

წინააღმდეგობა: 590 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J470RBTG

RN73C1J470RBTG

ნაწილი საფონდო: 78906

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი