ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C1J118RBTG

RN73C1J118RBTG

ნაწილი საფონდო: 78930

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J8K66BTG

RN73C1J8K66BTG

ნაწილი საფონდო: 78900

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A536RBTDG

RN73C2A536RBTDG

ნაწილი საფონდო: 78921

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A38K3BTG

RN73C2A38K3BTG

ნაწილი საფონდო: 78980

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A3K57BTDG

RN73C2A3K57BTDG

ნაწილი საფონდო: 78971

წინააღმდეგობა: 3.57 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J57R6BTG

RN73C1J57R6BTG

ნაწილი საფონდო: 78948

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K07BTG

RN73C2A1K07BTG

ნაწილი საფონდო: 75219

წინააღმდეგობა: 1.07 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J30R9BTG

RN73C1J30R9BTG

ნაწილი საფონდო: 78901

წინააღმდეგობა: 30.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A84K5BTG

RN73C2A84K5BTG

ნაწილი საფონდო: 78951

წინააღმდეგობა: 84.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A102RBTG

RN73C2A102RBTG

ნაწილი საფონდო: 78941

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A523RBTG

RN73C2A523RBTG

ნაწილი საფონდო: 78898

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J11KBTG

RN73C1J11KBTG

ნაწილი საფონდო: 78936

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A6R65BTG

RN73C2A6R65BTG

ნაწილი საფონდო: 78973

წინააღმდეგობა: 6.65 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A7R32BTG

RN73C2A7R32BTG

ნაწილი საფონდო: 78891

წინააღმდეგობა: 7.32 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J249RBTG

RN73C1J249RBTG

ნაწილი საფონდო: 78955

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A340KBTG

RN73C2A340KBTG

ნაწილი საფონდო: 78944

წინააღმდეგობა: 340 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A80R6BTG

RN73C2A80R6BTG

ნაწილი საფონდო: 78973

წინააღმდეგობა: 80.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A14R3BTG

RN73C2A14R3BTG

ნაწილი საფონდო: 78929

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A787RBTG

RN73C2A787RBTG

ნაწილი საფონდო: 78915

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J698RBTG

RN73C1J698RBTG

ნაწილი საფონდო: 78901

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J27R4BTG

RN73C1J27R4BTG

ნაწილი საფონდო: 78925

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A115KBTG

RN73C2A115KBTG

ნაწილი საფონდო: 78909

წინააღმდეგობა: 115 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A14K7BTG

RN73C2A14K7BTG

ნაწილი საფონდო: 78931

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A5R76BTG

RN73C2A5R76BTG

ნაწილი საფონდო: 78933

წინააღმდეგობა: 5.76 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A43K2BTG

RN73C2A43K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78914

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J3K48BTG

RN73C1J3K48BTG

ნაწილი საფონდო: 78898

წინააღმდეგობა: 3.48 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A178RBTG

RN73C2A178RBTG

ნაწილი საფონდო: 78974

წინააღმდეგობა: 178 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J16R5BTG

RN73C1J16R5BTG

ნაწილი საფონდო: 78962

წინააღმდეგობა: 16.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J237RBTG

RN73C1J237RBTG

ნაწილი საფონდო: 78903

წინააღმდეგობა: 237 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A10K7BTG

RN73C2A10K7BTG

ნაწილი საფონდო: 78982

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A158KBTG

RN73C2A158KBTG

ნაწილი საფონდო: 78977

წინააღმდეგობა: 158 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J14R3BTG

RN73C1J14R3BTG

ნაწილი საფონდო: 78955

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A31R6BTG

RN73C2A31R6BTG

ნაწილი საფონდო: 78950

წინააღმდეგობა: 31.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A82K5BTG

RN73C2A82K5BTG

ნაწილი საფონდო: 78900

წინააღმდეგობა: 82.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A7K68BTG

RN73C2A7K68BTG

ნაწილი საფონდო: 78956

წინააღმდეგობა: 7.68 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A41K2BTG

RN73C2A41K2BTG

ნაწილი საფონდო: 78918

წინააღმდეგობა: 41.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი