ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

4-1625868-1

4-1625868-1

ნაწილი საფონდო: 125219

წინააღმდეგობა: 14 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176091-4

4-2176091-4

ნაწილი საფონდო: 160791

წინააღმდეგობა: 162 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176092-4

4-2176092-4

ნაწილი საფონდო: 169123

წინააღმდეგობა: 2.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176094-1

4-2176094-1

ნაწილი საფონდო: 130181

წინააღმდეგობა: 316 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-1625868-6

4-1625868-6

ნაწილი საფონდო: 117834

წინააღმდეგობა: 15.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176093-2

4-2176093-2

ნაწილი საფონდო: 184191

წინააღმდეგობა: 26.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176093-5

4-2176093-5

ნაწილი საფონდო: 145431

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176093-0

4-2176093-0

ნაწილი საფონდო: 114497

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176088-6

4-2176088-6

ნაწილი საფონდო: 123726

წინააღმდეგობა: 2.61 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176088-7

4-2176088-7

ნაწილი საფონდო: 146670

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176089-9

4-2176089-9

ნაწილი საფონდო: 127300

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-1625868-9

4-1625868-9

ნაწილი საფონდო: 170833

წინააღმდეგობა: 16.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176091-2

4-2176091-2

ნაწილი საფონდო: 123101

წინააღმდეგობა: 154 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176094-8

4-2176094-8

ნაწილი საფონდო: 106712

წინააღმდეგობა: 374 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176092-8

4-2176092-8

ნაწილი საფონდო: 133610

წინააღმდეგობა: 2.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176093-6

4-2176093-6

ნაწილი საფონდო: 166243

წინააღმდეგობა: 28.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176088-9

4-2176088-9

ნაწილი საფონდო: 152704

წინააღმდეგობა: 2.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176092-5

4-2176092-5

ნაწილი საფონდო: 102448

წინააღმდეგობა: 2.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176094-6

4-2176094-6

ნაწილი საფონდო: 158089

წინააღმდეგობა: 357 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-1625868-4

4-1625868-4

ნაწილი საფონდო: 198352

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176091-8

4-2176091-8

ნაწილი საფონდო: 162223

წინააღმდეგობა: 178 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176092-3

4-2176092-3

ნაწილი საფონდო: 198079

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176093-7

4-2176093-7

ნაწილი საფონდო: 102856

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176091-0

4-2176091-0

ნაწილი საფონდო: 105883

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176089-0

4-2176089-0

ნაწილი საფონდო: 164111

წინააღმდეგობა: 28.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176094-3

4-2176094-3

ნაწილი საფონდო: 111633

წინააღმდეგობა: 332 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176094-4

4-2176094-4

ნაწილი საფონდო: 145157

წინააღმდეგობა: 340 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-1625868-7

4-1625868-7

ნაწილი საფონდო: 163293

წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176089-2

4-2176089-2

ნაწილი საფონდო: 108805

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-1625868-3

4-1625868-3

ნაწილი საფონდო: 153518

წინააღმდეგობა: 14.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176073-3

4-2176073-3

ნაწილი საფონდო: 135059

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176073-9

4-2176073-9

ნაწილი საფონდო: 192040

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176073-6

4-2176073-6

ნაწილი საფონდო: 188871

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176073-7

4-2176073-7

ნაწილი საფონდო: 102627

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176073-2

4-2176073-2

ნაწილი საფონდო: 182792

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176073-5

4-2176073-5

ნაწილი საფონდო: 129646

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი