ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

3520750KJT

3520750KJT

ნაწილი საფონდო: 179811

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35203K9JT

35203K9JT

ნაწილი საფონდო: 187114

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352039RJT

352039RJT

ნაწილი საფონდო: 192760

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352062KJT

352062KJT

ნაწილი საფონდო: 105405

წინააღმდეგობა: 62 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352010KJT

352010KJT

ნაწილი საფონდო: 105801

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35201K1JT

35201K1JT

ნაწილი საფონდო: 127797

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35205R1JT

35205R1JT

ნაწილი საფონდო: 102598

წინააღმდეგობა: 5.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
3520430KJT

3520430KJT

ნაწილი საფონდო: 184441

წინააღმდეგობა: 430 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35207M5JT

35207M5JT

ნაწილი საფონდო: 134544

წინააღმდეგობა: 7.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35206R8JT

35206R8JT

ნაწილი საფონდო: 113523

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
35209M1JT

35209M1JT

ნაწილი საფონდო: 122083

წინააღმდეგობა: 9.1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35202R2JT

35202R2JT

ნაწილი საფონდო: 135027

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
35202K7JT

35202K7JT

ნაწილი საფონდო: 142960

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520680RJT

3520680RJT

ნაწილი საფონდო: 192095

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35201M3JT

35201M3JT

ნაწილი საფონდო: 186511

წინააღმდეგობა: 1.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352010RJT

352010RJT

ნაწილი საფონდო: 197519

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35206K2JT

35206K2JT

ნაწილი საფონდო: 149031

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520750RJT

3520750RJT

ნაწილი საფონდო: 183789

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35201M6JT

35201M6JT

ნაწილი საფონდო: 109753

წინააღმდეგობა: 1.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520160RJT

3520160RJT

ნაწილი საფონდო: 165137

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352011KJT

352011KJT

ნაწილი საფონდო: 196461

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520110RJT

3520110RJT

ნაწილი საფონდო: 177866

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35203K6JT

35203K6JT

ნაწილი საფონდო: 146723

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352016RJT

352016RJT

ნაწილი საფონდო: 159403

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35201K6JT

35201K6JT

ნაწილი საფონდო: 112860

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35203K3JT

35203K3JT

ნაწილი საფონდო: 109364

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520240KJT

3520240KJT

ნაწილი საფონდო: 102273

წინააღმდეგობა: 240 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520330RJT

3520330RJT

ნაწილი საფონდო: 104796

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520240RJT

3520240RJT

ნაწილი საფონდო: 192460

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520910RJT

3520910RJT

ნაწილი საფონდო: 172639

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35206R2JT

35206R2JT

ნაწილი საფონდო: 134924

წინააღმდეგობა: 6.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
35201R6JT

35201R6JT

ნაწილი საფონდო: 117693

წინააღმდეგობა: 1.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
35206K8JT

35206K8JT

ნაწილი საფონდო: 148333

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352036RJT

352036RJT

ნაწილი საფონდო: 166844

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35204K3JT

35204K3JT

ნაწილი საფონდო: 155806

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520360RJT

3520360RJT

ნაწილი საფონდო: 147137

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი