ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

35204M3JT

35204M3JT

ნაწილი საფონდო: 102285

წინააღმდეგობა: 4.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352036KJT

352036KJT

ნაწილი საფონდო: 154717

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352043RJT

352043RJT

ნაწილი საფონდო: 105027

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520620RJT

3520620RJT

ნაწილი საფონდო: 185542

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352013RJT

352013RJT

ნაწილი საფონდო: 119274

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352047RJT

352047RJT

ნაწილი საფონდო: 143797

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520130RJT

3520130RJT

ნაწილი საფონდო: 153077

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520470RJT

3520470RJT

ნაწილი საფონდო: 135844

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35203R6JT

35203R6JT

ნაწილი საფონდო: 130421

წინააღმდეგობა: 3.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
35204R3JT

35204R3JT

ნაწილი საფონდო: 151445

წინააღმდეგობა: 4.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
35201K3JT

35201K3JT

ნაწილი საფონდო: 137442

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352075RJT

352075RJT

ნაწილი საფონდო: 196618

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35205K1JT

35205K1JT

ნაწილი საფონდო: 163161

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35202K4JT

35202K4JT

ნაწილი საფონდო: 114207

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352011RJT

352011RJT

ნაწილი საფონდო: 160273

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520110KJT

3520110KJT

ნაწილი საფონდო: 135372

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3520100KJT

3520100KJT

ნაწილი საფონდო: 169258

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35207K5JT

35207K5JT

ნაწილი საფონდო: 181663

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
352062RJT

352062RJT

ნაწილი საფონდო: 126261

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35202R4JT

35202R4JT

ნაწილი საფონდო: 106538

წინააღმდეგობა: 2.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
352020RJT

352020RJT

ნაწილი საფონდო: 127404

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
35209R1JT

35209R1JT

ნაწილი საფონდო: 178497

წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
35202K0JT

35202K0JT

ნაწილი საფონდო: 147528

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3-2176067-9

3-2176067-9

ნაწილი საფონდო: 122931

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3-2176068-0

3-2176068-0

ნაწილი საფონდო: 154563

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
4-1879361-7

4-1879361-7

ნაწილი საფონდო: 78906

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
4-1879361-6

4-1879361-6

ნაწილი საფონდო: 78911

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
4-1879360-8

4-1879360-8

ნაწილი საფონდო: 78836

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
4-1879357-3

4-1879357-3

ნაწილი საფონდო: 78873

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
4-1879361-1

4-1879361-1

ნაწილი საფონდო: 78904

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
4-1879360-7

4-1879360-7

ნაწილი საფონდო: 78837

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
4-2176088-5

4-2176088-5

ნაწილი საფონდო: 180067

წინააღმდეგობა: 2.55 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176091-6

4-2176091-6

ნაწილი საფონდო: 176606

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176088-3

4-2176088-3

ნაწილი საფონდო: 149496

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176091-9

4-2176091-9

ნაწილი საფონდო: 194837

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
4-2176091-1

4-2176091-1

ნაწილი საფონდო: 174408

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი