ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

35212K7FT

35212K7FT

ნაწილი საფონდო: 106881

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352116KFT

352116KFT

ნაწილი საფონდო: 101239

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521390KFT

3521390KFT

ნაწილი საფონდო: 102099

წინააღმდეგობა: 390 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521620RFT

3521620RFT

ნაწილი საფონდო: 141198

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352191RFT

352191RFT

ნაწილი საფონდო: 190184

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352112RFT

352112RFT

ნაწილი საფონდო: 109332

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521620KFT

3521620KFT

ნაწილი საფონდო: 199031

წინააღმდეგობა: 620 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352118RFT

352118RFT

ნაწილი საფონდო: 182006

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352122KFT

352122KFT

ნაწილი საფონდო: 157927

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521300RFT

3521300RFT

ნაწილი საფონდო: 106224

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352115RFT

352115RFT

ნაწილი საფონდო: 130257

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352136KFT

352136KFT

ნაწილი საფონდო: 101616

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521750KFT

3521750KFT

ნაწილი საფონდო: 109367

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
35214K3FT

35214K3FT

ნაწილი საფონდო: 104676

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521160KFT

3521160KFT

ნაწილი საფონდო: 188627

წინააღმდეგობა: 160 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
35216K2FT

35216K2FT

ნაწილი საფონდო: 166056

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352112KFT

352112KFT

ნაწილი საფონდო: 125549

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352168KFT

352168KFT

ნაწილი საფონდო: 126887

წინააღმდეგობა: 68 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352182RFT

352182RFT

ნაწილი საფონდო: 139261

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521180RFT

3521180RFT

ნაწილი საფონდო: 113573

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352113KFT

352113KFT

ნაწილი საფონდო: 167810

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352127KFT

352127KFT

ნაწილი საფონდო: 187689

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521300KFT

3521300KFT

ნაწილი საფონდო: 126019

წინააღმდეგობა: 300 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
35216K8FT

35216K8FT

ნაწილი საფონდო: 178613

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352162KFT

352162KFT

ნაწილი საფონდო: 159902

წინააღმდეგობა: 62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521270RFT

3521270RFT

ნაწილი საფონდო: 181139

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3-2176091-2

3-2176091-2

ნაწილი საფონდო: 161396

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
3-2176093-3

3-2176093-3

ნაწილი საფონდო: 105759

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
3-1625868-1

3-1625868-1

ნაწილი საფონდო: 106050

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
3-1625868-6

3-1625868-6

ნაწილი საფონდო: 134542

წინააღმდეგობა: 12.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
3-2176094-3

3-2176094-3

ნაწილი საფონდო: 199809

წინააღმდეგობა: 261 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
3-2176093-1

3-2176093-1

ნაწილი საფონდო: 152852

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
3-2176094-2

3-2176094-2

ნაწილი საფონდო: 169455

წინააღმდეგობა: 255 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
3-2176091-4

3-2176091-4

ნაწილი საფონდო: 135330

წინააღმდეგობა: 127 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
3-2176088-1

3-2176088-1

ნაწილი საფონდო: 114502

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
3-1625868-5

3-1625868-5

ნაწილი საფონდო: 149263

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი