ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

3522820KJT

3522820KJT

ნაწილი საფონდო: 136908

წინააღმდეგობა: 820 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35221M0JT

35221M0JT

ნაწილი საფონდო: 128758

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352222KJT

352222KJT

ნაწილი საფონდო: 127957

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522470RJT

3522470RJT

ნაწილი საფონდო: 130392

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35228R2JT

35228R2JT

ნაწილი საფონდო: 145684

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35225K6JT

35225K6JT

ნაწილი საფონდო: 195724

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522330RJT

3522330RJT

ნაწილი საფონდო: 163335

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352256RJT

352256RJT

ნაწილი საფონდო: 156718

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522680RJT

3522680RJT

ნაწილი საფონდო: 92785

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35226K8JT

35226K8JT

ნაწილი საფონდო: 178734

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35222M2JT

35222M2JT

ნაწილი საფონდო: 163172

წინააღმდეგობა: 2.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352110RFT

352110RFT

ნაწილი საფონდო: 109382

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521270KFT

3521270KFT

ნაწილი საფონდო: 103597

წინააღმდეგობა: 270 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521470KFT

3521470KFT

ნაწილი საფონდო: 192907

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521160RFT

3521160RFT

ნაწილი საფონდო: 119985

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
35213K0FT

35213K0FT

ნაწილი საფონდო: 195083

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521560KFT

3521560KFT

ნაწილი საფონდო: 140460

წინააღმდეგობა: 560 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521750RFT

3521750RFT

ნაწილი საფონდო: 173222

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521200RFT

3521200RFT

ნაწილი საფონდო: 159433

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352162RFT

352162RFT

ნაწილი საფონდო: 195934

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352151KFT

352151KFT

ნაწილი საფონდო: 140782

წინააღმდეგობა: 51 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
35219K1FT

35219K1FT

ნაწილი საფონდო: 181573

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521100RFT

3521100RFT

ნაწილი საფონდო: 138613

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521240KFT

3521240KFT

ნაწილი საფონდო: 163679

წინააღმდეგობა: 240 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521680KFT

3521680KFT

ნაწილი საფონდო: 174363

წინააღმდეგობა: 680 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352120RFT

352120RFT

ნაწილი საფონდო: 162081

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521360KFT

3521360KFT

ნაწილი საფონდო: 117119

წინააღმდეგობა: 360 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521130KFT

3521130KFT

ნაწილი საფონდო: 157260

წინააღმდეგობა: 130 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521560RFT

3521560RFT

ნაწილი საფონდო: 193343

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521510RFT

3521510RFT

ნაწილი საფონდო: 184187

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352115KFT

352115KFT

ნაწილი საფონდო: 177247

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
35215K1FT

35215K1FT

ნაწილი საფონდო: 148607

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521430KFT

3521430KFT

ნაწილი საფონდო: 107654

წინააღმდეგობა: 430 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521110KFT

3521110KFT

ნაწილი საფონდო: 193984

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
352151RFT

352151RFT

ნაწილი საფონდო: 156270

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
3521330RFT

3521330RFT

ნაწილი საფონდო: 126923

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი