ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

3522560RFT

3522560RFT

ნაწილი საფონდო: 112819

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35228K2FT

35228K2FT

ნაწილი საფონდო: 192805

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522820KFT

3522820KFT

ნაწილი საფონდო: 118293

წინააღმდეგობა: 820 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352233RFT

352233RFT

ნაწილი საფონდო: 199049

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35221K8FT

35221K8FT

ნაწილი საფონდო: 102304

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35222K7FT

35222K7FT

ნაწილი საფონდო: 151734

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352211KFT

352211KFT

ნაწილი საფონდო: 146271

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352216KFT

352216KFT

ნაწილი საფონდო: 167321

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522120RFT

3522120RFT

ნაწილი საფონდო: 189079

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352251RFT

352251RFT

ნაწილი საფონდო: 171446

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35226K8FT

35226K8FT

ნაწილი საფონდო: 122338

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352227KFT

352227KFT

ნაწილი საფონდო: 143591

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35224K3FT

35224K3FT

ნაწილი საფონდო: 166839

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35222K0FT

35222K0FT

ნაწილი საფონდო: 115066

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35225K6FT

35225K6FT

ნაწილი საფონდო: 196346

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35221K6FT

35221K6FT

ნაწილი საფონდო: 102124

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522470KFT

3522470KFT

ნაწილი საფონდო: 168909

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522360RFT

3522360RFT

ნაწილი საფონდო: 110827

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522300KFT

3522300KFT

ნაწილი საფონდო: 136710

წინააღმდეგობა: 300 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352262RFT

352262RFT

ნაწილი საფონდო: 158658

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522330KFT

3522330KFT

ნაწილი საფონდო: 180405

წინააღმდეგობა: 330 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352212RFT

352212RFT

ნაწილი საფონდო: 105049

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35226K2FT

35226K2FT

ნაწილი საფონდო: 174101

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352213KFT

352213KFT

ნაწილი საფონდო: 133379

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352247RFT

352247RFT

ნაწილი საფონდო: 197815

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
352224KFT

352224KFT

ნაწილი საფონდო: 143609

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
36512A22NKTDG

36512A22NKTDG

ნაწილი საფონდო: 116402

სასურველი
3-1622825-3

3-1622825-3

ნაწილი საფონდო: 165872

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
3-1622825-6

3-1622825-6

ნაწილი საფონდო: 149960

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
36502A2R2GTDG

36502A2R2GTDG

ნაწილი საფონდო: 144493

სასურველი
36502A2R7GTDG

36502A2R7GTDG

ნაწილი საფონდო: 159714

სასურველი
36502A1R2GTDG

36502A1R2GTDG

ნაწილი საფონდო: 157489

სასურველი
36502AR82GTDG

36502AR82GTDG

ნაწილი საფონდო: 140404

სასურველი
3522180KJT

3522180KJT

ნაწილი საფონდო: 147651

წინააღმდეგობა: 180 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
3522150RJT

3522150RJT

ნაწილი საფონდო: 138313

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
35224R7JT

35224R7JT

ნაწილი საფონდო: 101999

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი