კერამიკული კონდენსატორები

C1005X7R1H153K050BB

C1005X7R1H153K050BB

ნაწილი საფონდო: 116502

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402JB0G222M020BC

C0402JB0G222M020BC

ნაწილი საფონდო: 134450

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F3X7S2A154K085AB

CGA4F3X7S2A154K085AB

ნაწილი საფონდო: 9772

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608JB0J335K080AB

C1608JB0J335K080AB

ნაწილი საფონდო: 2088

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CLLC1AX7S0G104M050AC

CLLC1AX7S0G104M050AC

ნაწილი საფონდო: 117030

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C1608C0G1H470J/10

C1608C0G1H470J/10

ნაწილი საფონდო: 108384

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005C0G1H821J050BA

C1005C0G1H821J050BA

ნაწილი საფონდო: 103852

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R1C685M125AC

C2012X5R1C685M125AC

ნაწილი საფონდო: 1839

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB0J225M080AB

C1608JB0J225M080AB

ნაწილი საფონდო: 2410

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F3X7R2E472K085AA

CGA4F3X7R2E472K085AA

ნაწილი საფონდო: 7881

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H270J/10

C1608C0G1H270J/10

ნაწილი საფონდო: 169780

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608JB0J225K080AB

C1608JB0J225K080AB

ნაწილი საფონდო: 1995

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R1C685K125AC

C2012X5R1C685K125AC

ნაწილი საფონდო: 99

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F3X7R2E332K085AA

CGA4F3X7R2E332K085AA

ნაწილი საფონდო: 6129

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CLLE1AX7S0G225M085AC

CLLE1AX7S0G225M085AC

ნაწილი საფონდო: 170872

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C3216C0G2J122K085AA

C3216C0G2J122K085AA

ნაწილი საფონდო: 113581

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H122J/10

C1608C0G1H122J/10

ნაწილი საფონდო: 168734

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1C153M050BA

C1005JB1C153M050BA

ნაწილი საფონდო: 144686

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603X5R0J154K030BB

C0603X5R0J154K030BB

ნაწილი საფონდო: 179535

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB0J155M080AB

C1608JB0J155M080AB

ნაწილი საფონდო: 2004

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R1C475K125AC

C2012X5R1C475K125AC

ნაწილი საფონდო: 158647

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB0J155K080AB

C1608JB0J155K080AB

ნაწილი საფონდო: 1630

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E8R2C030BG

C0603C0G1E8R2C030BG

ნაწილი საფონდო: 6378

ტევადობა: 8.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C0603C0G1E3R5B030BG

C0603C0G1E3R5B030BG

ნაწილი საფონდო: 1069

ტევადობა: 3.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C2012X7R2A102M085AA

C2012X7R2A102M085AA

ნაწილი საფონდო: 191375

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C4532X7R1C226M230KB

C4532X7R1C226M230KB

ნაწილი საფონდო: 145114

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402X5R1A682M020BC

C0402X5R1A682M020BC

ნაწილი საფონდო: 6717

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X7R1E223K/50

C1005X7R1E223K/50

ნაწილი საფონდო: 131223

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X6S1C106M160AB

C3216X6S1C106M160AB

ნაწილი საფონდო: 173681

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-E3FD682ZYNN

CK45-E3FD682ZYNN

ნაწილი საფონდო: 6684

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CGA4F3X7R2E152K085AA

CGA4F3X7R2E152K085AA

ნაწილი საფონდო: 384

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X5R0J683K030BC

C0603X5R0J683K030BC

ნაწილი საფონდო: 2487

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R1C225K125AA

C2012X5R1C225K125AA

ნაწილი საფონდო: 199754

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402CH1C030C020BC

C0402CH1C030C020BC

ნაწილი საფონდო: 111430

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402CH1C050C020BC

C0402CH1C050C020BC

ნაწილი საფონდო: 158159

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB1A335M080AB

C1608JB1A335M080AB

ნაწილი საფონდო: 199061

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი