კერამიკული კონდენსატორები

C0603X7R1E101M030BA

C0603X7R1E101M030BA

ნაწილი საფონდო: 166979

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB1A155K080AC

C1608JB1A155K080AC

ნაწილი საფონდო: 7245

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F4X7T2W103K085AA

CGA4F4X7T2W103K085AA

ნაწილი საფონდო: 529

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGJ4J2X7R2A153K125AA

CGJ4J2X7R2A153K125AA

ნაწილი საფონდო: 106295

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402CH1C090D020BC

C0402CH1C090D020BC

ნაწილი საფონდო: 100309

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CLLE1AX7S0J474M050AC

CLLE1AX7S0J474M050AC

ნაწილი საფონდო: 105654

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
CLLE1AX7R1A334M050AC

CLLE1AX7R1A334M050AC

ნაწილი საფონდო: 140065

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C2012C0G1H102J/10

C2012C0G1H102J/10

ნაწილი საფონდო: 104408

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7R1H333M050BB

C1005X7R1H333M050BB

ნაწილი საფონდო: 181684

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608Y5V1E104Z/10

C1608Y5V1E104Z/10

ნაწილი საფონდო: 199121

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C1608JB1A105K080AC

C1608JB1A105K080AC

ნაწილი საფონდო: 134559

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4J3X7T2E333K125AA

CGA4J3X7T2E333K125AA

ნაწილი საფონდო: 159766

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CLLE1AX7R1A104M050AC

CLLE1AX7R1A104M050AC

ნაწილი საფონდო: 153410

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C1005X7R1H333K050BB

C1005X7R1H333K050BB

ნაწილი საფონდო: 171276

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R0J475M085AB

C2012X7R0J475M085AB

ნაწილი საფონდო: 140204

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB0J475M080AB

C1608JB0J475M080AB

ნაწილი საფონდო: 1618

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608CH1H103K080AA

C1608CH1H103K080AA

ნაწილი საფონდო: 171333

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R1A105M/1.25

C2012X5R1A105M/1.25

ნაწილი საფონდო: 6696

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0402JB0J102K020BC

C0402JB0J102K020BC

ნაწილი საფონდო: 166578

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F3X7S2A224K085AB

CGA4F3X7S2A224K085AB

ნაწილი საფონდო: 1304

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7R1H223M050BB

C1005X7R1H223M050BB

ნაწილი საფონდო: 171633

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E2R7C

C0603C0G1E2R7C

ნაწილი საფონდო: 5376

ტევადობა: 2.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608JB0J475K080AB

C1608JB0J475K080AB

ნაწილი საფონდო: 6116

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X7R1H683K050BB

C1005X7R1H683K050BB

ნაწილი საფონდო: 176278

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1220X7R1H223K

C1220X7R1H223K

ნაწილი საფონდო: 4964

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C1005CH2A121J050BA

C1005CH2A121J050BA

ნაწილი საფონდო: 126279

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C2012X5R1A105M/0.85

C2012X5R1A105M/0.85

ნაწილი საფონდო: 3804

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CGA3E3X8R1H683M080AB

CGA3E3X8R1H683M080AB

ნაწილი საფონდო: 146909

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1608X7R1E473K/10

C1608X7R1E473K/10

ნაწილი საფონდო: 173867

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216C0G1H822J/1.15

C3216C0G1H822J/1.15

ნაწილი საფონდო: 54

ტევადობა: 8200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2C0G1H561J080AD

CGA3E2C0G1H561J080AD

ნაწილი საფონდო: 104421

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C1608X7R1E104K/10

C1608X7R1E104K/10

ნაწილი საფონდო: 136647

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7R1H153M050BB

C1005X7R1H153M050BB

ნაწილი საფონდო: 186569

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C5R1B

C0402C0G1C5R1B

ნაწილი საფონდო: 9160

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA4F3X7S2A154M085AB

CGA4F3X7S2A154M085AB

ნაწილი საფონდო: 5535

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608JB0J335M080AB

C1608JB0J335M080AB

ნაწილი საფონდო: 9267

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი