კერამიკული კონდენსატორები

C3216Y5V1A106Z/1.15

C3216Y5V1A106Z/1.15

ნაწილი საფონდო: 564

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603X7R1H471M

C0603X7R1H471M

ნაწილი საფონდო: 9508

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGJ2B2C0G1H4R7C050BA

CGJ2B2C0G1H4R7C050BA

ნაწილი საფონდო: 121932

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225X7R1H475K250AB

C3225X7R1H475K250AB

ნაწილი საფონდო: 169588

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012Y5V1H225Z

C2012Y5V1H225Z

ნაწილი საფონდო: 3335

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C3225X7R1H474K160AM

C3225X7R1H474K160AM

ნაწილი საფონდო: 133127

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
CGJ2B2C0G1H220J050BA

CGJ2B2C0G1H220J050BA

ნაწილი საფონდო: 113362

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGJ6L2X7R1E155K160AA

CGJ6L2X7R1E155K160AA

ნაწილი საფონდო: 173082

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012Y5V1H105Z/0.85

C2012Y5V1H105Z/0.85

ნაწილი საფონდო: 2315

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C4532X7R2A684K230KA

C4532X7R2A684K230KA

ნაწილი საფონდო: 184996

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGJ2B2C0G1H120J050BA

CGJ2B2C0G1H120J050BA

ნაწილი საფონდო: 170577

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225X7R1H225K200AB

C3225X7R1H225K200AB

ნაწილი საფონდო: 169298

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012Y5V1H104Z/0.60

C2012Y5V1H104Z/0.60

ნაწილი საფონდო: 8784

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
CGJ2B2C0G1H100D050BA

CGJ2B2C0G1H100D050BA

ნაწილი საფონდო: 183384

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603CH1H6R8D030BA

C0603CH1H6R8D030BA

ნაწილი საფონდო: 118684

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3225X7R1H105M160AA

C3225X7R1H105M160AA

ნაწილი საფონდო: 157825

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4532X7R1H225M160KA

C4532X7R1H225M160KA

ნაწილი საფონდო: 141746

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1632X7S0G475M130AC

C1632X7S0G475M130AC

ნაწილი საფონდო: 138081

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C2012Y5V1E475Z

C2012Y5V1E475Z

ნაწილი საფონდო: 3782

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005CH1H271K050BA

C1005CH1H271K050BA

ნაწილი საფონდო: 168369

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA8N3X7S2A475M230KB

CGA8N3X7S2A475M230KB

ნაწილი საფონდო: 97928

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C4532C0G2J103K160KA

C4532C0G2J103K160KA

ნაწილი საფონდო: 81712

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216Y5V1H225Z/1.15

C3216Y5V1H225Z/1.15

ნაწილი საფონდო: 4923

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C3216X7R1H105K160AB

C3216X7R1H105K160AB

ნაწილი საფონდო: 144381

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R0J475K125AA

C2012X5R0J475K125AA

ნაწილი საფონდო: 6449

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012Y5V1C475Z/0.85

C2012Y5V1C475Z/0.85

ნაწილი საფონდო: 6637

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C0402CH1C390K020BC

C0402CH1C390K020BC

ნაწილი საფონდო: 107399

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608NP01H820J080AA

C1608NP01H820J080AA

ნაწილი საფონდო: 145396

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C3216X7R2A154K160AM

C3216X7R2A154K160AM

ნაწილი საფონდო: 168527

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
CGA8M3X7S2A335M200KB

CGA8M3X7S2A335M200KB

ნაწილი საფონდო: 126826

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X5R0J475M080AB

C1608X5R0J475M080AB

ნაწილი საფონდო: 8667

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X5R0J226K/1.60

C3216X5R0J226K/1.60

ნაწილი საფონდო: 9803

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C3216X5R0J226M085AC

C3216X5R0J226M085AC

ნაწილი საფონდო: 113871

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4J2X5R1C105M125AA

CGA4J2X5R1C105M125AA

ნაწილი საფონდო: 135511

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CGJ3E2X7R1C474K080AA

CGJ3E2X7R1C474K080AA

ნაწილი საფონდო: 125772

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012Y5V1C106Z

C2012Y5V1C106Z

ნაწილი საფონდო: 1588

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი