კერამიკული კონდენსატორები

C5750Y5V1H226Z

C5750Y5V1H226Z

ნაწილი საფონდო: 1418

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C0402JB1A102K020BC

C0402JB1A102K020BC

ნაწილი საფონდო: 195565

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0816X5R1A224K

C0816X5R1A224K

ნაწილი საფონდო: 8134

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
CGJ5L3X7R1H155K160AB

CGJ5L3X7R1H155K160AB

ნაწილი საფონდო: 190266

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608CH2E471K080AA

C1608CH2E471K080AA

ნაწილი საფონდო: 106662

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603C0G1E090C030BG

C0603C0G1E090C030BG

ნაწილი საფონდო: 5837

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C5750X6S2W105M250KA

C5750X6S2W105M250KA

ნაწილი საფონდო: 48975

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
C1608JB1H333M080AA

C1608JB1H333M080AA

ნაწილი საფონდო: 118312

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C5750Y5V1C107Z

C5750Y5V1C107Z

ნაწილი საფონდო: 5180

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C0816X7R1C104K

C0816X7R1C104K

ნაწილი საფონდო: 337

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C2012C0G2E102K085AA

C2012C0G2E102K085AA

ნაწილი საფონდო: 117847

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C5750X5R2A475K230KA

C5750X5R2A475K230KA

ნაწილი საფონდო: 69373

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C5750Y5V1A107Z

C5750Y5V1A107Z

ნაწილი საფონდო: 6581

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
CGA5L2X5R1E475K160AA

CGA5L2X5R1E475K160AA

ნაწილი საფონდო: 139259

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0816X7R1C473K

C0816X7R1C473K

ნაწილი საფონდო: 5997

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
CGJ6P3X7S1H685K250AB

CGJ6P3X7S1H685K250AB

ნაწილი საფონდო: 95191

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0816X7R1C223K

C0816X7R1C223K

ნაწილი საფონდო: 3558

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C0603C0G1H470K030BA

C0603C0G1H470K030BA

ნაწილი საფონდო: 130064

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ6P3X7S1H106K250AB

CGJ6P3X7S1H106K250AB

ნაწილი საფონდო: 95192

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225X5R1H475M250AB

C3225X5R1H475M250AB

ნაწილი საფონდო: 168874

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4532Y5V1E226Z

C4532Y5V1E226Z

ნაწილი საფონდო: 9009

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
CKG57NC0G2E304J500JJ

CKG57NC0G2E304J500JJ

ნაწილი საფონდო: 231

ტევადობა: 0.3µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ6N3X7S1H475K230AB

CGJ6N3X7S1H475K230AB

ნაწილი საფონდო: 111044

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225X5R1H475K250AB

C3225X5R1H475K250AB

ნაწილი საფონდო: 113389

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4532Y5V1C476Z

C4532Y5V1C476Z

ნაწილი საფონდო: 2338

ტევადობა: 47µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C2012X5R1C105M085AA

C2012X5R1C105M085AA

ნაწილი საფონდო: 123621

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X7R1V224M080AB

C1608X7R1V224M080AB

ნაწილი საფონდო: 169057

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603CH1H470J030BA

C0603CH1H470J030BA

ნაწილი საფონდო: 166826

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3225Y5V1H475Z/1.60

C3225Y5V1H475Z/1.60

ნაწილი საფონდო: 2786

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
CGJ3E2X7R1C333K080AA

CGJ3E2X7R1C333K080AA

ნაწილი საფონდო: 101029

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C0R2W

C0402C0G1C0R2W

ნაწილი საფონდო: 7072

ტევადობა: 0.2pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGJ3E2C0G1H180J080AA

CGJ3E2C0G1H180J080AA

ნაწილი საფონდო: 166174

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGJ6L2X7R1C105K160AA

CGJ6L2X7R1C105K160AA

ნაწილი საფონდო: 119176

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225NP02A153J125AA

C3225NP02A153J125AA

ნაწილი საფონდო: 190258

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C3225Y5V1E226Z

C3225Y5V1E226Z

ნაწილი საფონდო: 950

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C1608C0G1H331F080AA

C1608C0G1H331F080AA

ნაწილი საფონდო: 163292

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი