კერამიკული კონდენსატორები

C3216CH2J562K115AA

C3216CH2J562K115AA

ნაწილი საფონდო: 181332

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005X6S0J684M050BC

C1005X6S0J684M050BC

ნაწილი საფონდო: 4967

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA2B3X8R1H682M050BE

CGA2B3X8R1H682M050BE

ნაწილი საფონდო: 110630

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C3216C0G1H683K160AA

C3216C0G1H683K160AA

ნაწილი საფონდო: 122894

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F2X7R2A103K

CGA4F2X7R2A103K

ნაწილი საფონდო: 7964

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2C0G1H4R7C080AD

CGA3E2C0G1H4R7C080AD

ნაწილი საფონდო: 162105

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C3225Y5V1E106Z/1.60

C3225Y5V1E106Z/1.60

ნაწილი საფონდო: 9004

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005X7R1H103K050BB

C1005X7R1H103K050BB

ნაწილი საფონდო: 197221

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X6S0J684K050BC

C1005X6S0J684K050BC

ნაწილი საფონდო: 1469

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA5L3X5R1V475K160AB

CGA5L3X5R1V475K160AB

ნაწილი საფონდო: 176498

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1608CH1H151J080AA

C1608CH1H151J080AA

ნაწილი საფონდო: 126618

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603X7R1A103K030BA

C0603X7R1A103K030BA

ნაწილი საფონდო: 189695

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA2B3X8R1H682K050BE

CGA2B3X8R1H682K050BE

ნაწილი საფონდო: 197769

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C0402C0G1C240J

C0402C0G1C240J

ნაწილი საფონდო: 103

ტევადობა: 24pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA4F2X7R2A682K

CGA4F2X7R2A682K

ნაწილი საფონდო: 110

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X5R1H151K

C0603X5R1H151K

ნაწილი საფონდო: 3242

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C3216X7R2E223K115AM

C3216X7R2E223K115AM

ნაწილი საფონდო: 166448

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
C3216C0G1H104K160AA

C3216C0G1H104K160AA

ნაწილი საფონდო: 161348

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X6S0J154M050BC

C1005X6S0J154M050BC

ნაწილი საფონდო: 6698

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E9R1C

C0603C0G1E9R1C

ნაწილი საფონდო: 9276

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225Y5V1C106Z/1.15

C3225Y5V1C106Z/1.15

ნაწილი საფონდო: 82

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
CGA2B2NP01H6R8D050BA

CGA2B2NP01H6R8D050BA

ნაწილი საფონდო: 172586

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C3225X7R2E154K200AM

C3225X7R2E154K200AM

ნაწილი საფონდო: 103745

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
C0603C0G1E4R4C030BG

C0603C0G1E4R4C030BG

ნაწილი საფონდო: 4019

ტევადობა: 4.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C1005X5R1H682K050BA

C1005X5R1H682K050BA

ნაწილი საფონდო: 124385

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA2B3X8R1E153M050BE

CGA2B3X8R1E153M050BE

ნაწილი საფონდო: 141727

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C2012JB2A333M125AA

C2012JB2A333M125AA

ნაწილი საფონდო: 167166

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005X6S0J154K050BC

C1005X6S0J154K050BC

ნაწილი საფონდო: 7455

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3225Y5V1A226Z/1.15

C3225Y5V1A226Z/1.15

ნაწილი საფონდო: 719

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
CGA5C4C0G2J121J060AA

CGA5C4C0G2J121J060AA

ნაწილი საფონდო: 188824

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X6S0J104K050BA

C1005X6S0J104K050BA

ნაწილი საფონდო: 136446

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA2B3X8R1E153K050BE

CGA2B3X8R1E153K050BE

ნაწილი საფონდო: 155185

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C2012X7T2V473M125AA

C2012X7T2V473M125AA

ნაწილი საფონდო: 192783

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 350V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X7R1H683M080AA

C1608X7R1H683M080AA

ნაწილი საფონდო: 153760

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X5R1H155M160AB

C3216X5R1H155M160AB

ნაწილი საფონდო: 102082

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E3C0G2E561J080AA

CGA3E3C0G2E561J080AA

ნაწილი საფონდო: 130083

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი