კერამიკული კონდენსატორები

C3216C0G2J681K085AA

C3216C0G2J681K085AA

ნაწილი საფონდო: 141400

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E3R8C030BG

C0603C0G1E3R8C030BG

ნაწილი საფონდო: 2900

ტევადობა: 3.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C2012C0G2A392K125AA

C2012C0G2A392K125AA

ნაწილი საფონდო: 128659

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7R1E153M

C1005X7R1E153M

ნაწილი საფონდო: 6648

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X7R1V225M160AB

C3216X7R1V225M160AB

ნაწილი საფონდო: 145527

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X8R1H152M080AE

CGA3E2X8R1H152M080AE

ნაწილი საფონდო: 121521

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C0402C0G1C560G

C0402C0G1C560G

ნაწილი საფონდო: 4455

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X7R1A106M160AC

C3216X7R1A106M160AC

ნაწილი საფონდო: 139470

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216C0G2J821K085AA

C3216C0G2J821K085AA

ნაწილი საფონდო: 132022

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E060D030BA

C0603C0G1E060D030BA

ნაწილი საფონდო: 119969

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608CH1H471K080AA

C1608CH1H471K080AA

ნაწილი საფონდო: 187204

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G1H331F050BA

C1005C0G1H331F050BA

ნაწილი საფონდო: 195680

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608C0G2A121K080AA

C1608C0G2A121K080AA

ნაწილი საფონდო: 196103

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X6S1A684K050BC

C1005X6S1A684K050BC

ნაწილი საფონდო: 104992

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F3X7R2E332K

CGA4F3X7R2E332K

ნაწილი საფონდო: 6267

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2X8R1E683M080AE

CGA3E2X8R1E683M080AE

ნაწილი საფონდო: 109348

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C0603C0G1E5R1B

C0603C0G1E5R1B

ნაწილი საფონდო: 9585

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608CH1H181K080AA

C1608CH1H181K080AA

ნაწილი საფონდო: 126431

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608C0G2A392K080AC

C1608C0G2A392K080AC

ნაწილი საფონდო: 139303

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X6S1A334M050BC

C1005X6S1A334M050BC

ნაწილი საფონდო: 119998

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216C0G2J471K085AA

C3216C0G2J471K085AA

ნაწილი საფონდო: 133287

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005CH2A331K050BA

C1005CH2A331K050BA

ნაწილი საფონდო: 195385

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
CGJ4C2C0G1H331J060AA

CGJ4C2C0G1H331J060AA

ნაწილი საფონდო: 110563

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C5R1C

C0402C0G1C5R1C

ნაწილი საფონდო: 7812

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012C0G1H272J/1.25

C2012C0G1H272J/1.25

ნაწილი საფონდო: 683

ტევადობა: 2700pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA4F3X7R2E222K

CGA4F3X7R2E222K

ნაწილი საფონდო: 2604

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2X8R1E683K080AE

CGA3E2X8R1E683K080AE

ნაწილი საფონდო: 116631

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C0603CH1H220J030BA

C0603CH1H220J030BA

ნაწილი საფონდო: 100051

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X6S1A334K050BC

C1005X6S1A334K050BC

ნაწილი საფონდო: 113299

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA5L3X5R1H225K160AB

CGA5L3X5R1H225K160AB

ნაწილი საფონდო: 167144

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CGJ3E2C0G1H040C080AA

CGJ3E2C0G1H040C080AA

ნაწილი საფონდო: 162449

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216C0G2J332K160AA

C3216C0G2J332K160AA

ნაწილი საფონდო: 175133

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA2B3X7S2A332K050BB

CGA2B3X7S2A332K050BB

ნაწილი საფონდო: 189341

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA2B2NP01H561J050BA

CGA2B2NP01H561J050BA

ნაწილი საფონდო: 161196

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CGA3E2NP02A270J080AA

CGA3E2NP02A270J080AA

ნაწილი საფონდო: 189695

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CGA4F3X7R2E152K

CGA4F3X7R2E152K

ნაწილი საფონდო: 5830

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი