კერამიკული კონდენსატორები

CD70-B2GA151KYNKA

CD70-B2GA151KYNKA

ნაწილი საფონდო: 111229

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1608X5R1E474M080AC

C1608X5R1E474M080AC

ნაწილი საფონდო: 187215

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X7R1H474K160AA

C3216X7R1H474K160AA

ნაწილი საფონდო: 157903

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402CH1C220J020BC

C0402CH1C220J020BC

ნაწილი საფონდო: 117177

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CC45SL3JD180JYNN

CC45SL3JD180JYNN

ნაწილი საფონდო: 6468

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6000V (6kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
C3225X7R1H474M/1.30

C3225X7R1H474M/1.30

ნაწილი საფონდო: 696

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CD70-B2GA101KYNKA

CD70-B2GA101KYNKA

ნაწილი საფონდო: 118650

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C0603JB1E102K030BA

C0603JB1E102K030BA

ნაწილი საფონდო: 151077

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X5R1E224M080AA

C1608X5R1E224M080AA

ნაწილი საფონდო: 125325

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X7R1C105K/1.30

C3216X7R1C105K/1.30

ნაწილი საფონდო: 7674

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C130J

C0402C0G1C130J

ნაწილი საფონდო: 7484

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CC45SL3JD100JYNN

CC45SL3JD100JYNN

ნაწილი საფონდო: 5007

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6000V (6kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
C5750X7R1C226M280KA

C5750X7R1C226M280KA

ნაწილი საფონდო: 97992

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X8R1H152M080AD

CGA3E2X8R1H152M080AD

ნაწილი საფონდო: 100169

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
CGJ3E2C0G1H2R2C080AA

CGJ3E2C0G1H2R2C080AA

ნაწილი საფონდო: 165157

ტევადობა: 2.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216C0G1H223J/1.15

C3216C0G1H223J/1.15

ნაწილი საფონდო: 6325

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X7R1A474K

C1608X7R1A474K

ნაწილი საფონდო: 3826

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CC45SL3FD471JYNN

CC45SL3FD471JYNN

ნაწილი საფონდო: 3606

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
CGA3E2X8R1H152K080AD

CGA3E2X8R1H152K080AD

ნაწილი საფონდო: 179456

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C1608X7R1A334K

C1608X7R1A334K

ნაწილი საფონდო: 1329

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216C0G1H103J/1.15

C3216C0G1H103J/1.15

ნაწილი საფონდო: 3741

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CC45SL3FD391JYNN

CC45SL3FD391JYNN

ნაწილი საფონდო: 8065

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
CGA3E3X8R1H683M080AD

CGA3E3X8R1H683M080AD

ნაწილი საფონდო: 180323

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C1608X7R1A224K

C1608X7R1A224K

ნაწილი საფონდო: 1568

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X7R1C225K/1.60

C3216X7R1C225K/1.60

ნაწილი საფონდო: 6276

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005C0G1H1R5C050BA

C1005C0G1H1R5C050BA

ნაწილი საფონდო: 165351

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216CH2J122K085AA

C3216CH2J122K085AA

ნაწილი საფონდო: 100759

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
CC45SL3FD271JYNN

CC45SL3FD271JYNN

ნაწილი საფონდო: 6126

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
CGA3E3X8R1H683K080AD

CGA3E3X8R1H683K080AD

ნაწილი საფონდო: 123909

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C1608X7R1C105M080AC

C1608X7R1C105M080AC

ნაწილი საფონდო: 162171

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3225X7R1H105M/2.00

C3225X7R1H105M/2.00

ნაწილი საფონდო: 7183

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CC45SL3FD181JYNN

CC45SL3FD181JYNN

ნაწილი საფონდო: 9430

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
CGA3E2X8R1H333M080AD

CGA3E2X8R1H333M080AD

ნაწილი საფონდო: 111384

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C1608C0G1H682K080AA

C1608C0G1H682K080AA

ნაწილი საფონდო: 120339

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F2X7R2A152K

CGA4F2X7R2A152K

ნაწილი საფონდო: 8250

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C4532NP01H473J160KA

C4532NP01H473J160KA

ნაწილი საფონდო: 147953

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი