კერამიკული კონდენსატორები

C0603C0G1E080B

C0603C0G1E080B

ნაწილი საფონდო: 2908

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603CH1H270J030BA

C0603CH1H270J030BA

ნაწილი საფონდო: 153888

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB1H473K080AA

C1608JB1H473K080AA

ნაწილი საფონდო: 128266

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402X7R1A152M020BC

C0402X7R1A152M020BC

ნაწილი საფონდო: 134048

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CKG57NX5R1C107M500JJ

CKG57NX5R1C107M500JJ

ნაწილი საფონდო: 25545

ტევადობა: 100µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL (Stacked),

სასურველი
C1608X7R1A474M

C1608X7R1A474M

ნაწილი საფონდო: 5938

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CKG57NX7R2A106M500JJ

CKG57NX7R2A106M500JJ

ნაწილი საფონდო: 25540

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Stacked),

სასურველი
CGA3E2X7R1H471K

CGA3E2X7R1H471K

ნაწილი საფონდო: 5843

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CKG57NX7S2A226M500JJ

CKG57NX7S2A226M500JJ

ნაწილი საფონდო: 25550

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Stacked),

სასურველი
C1608X7R1C224K080AC

C1608X7R1C224K080AC

ნაწილი საფონდო: 165516

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603JB0J104K030BC

C0603JB0J104K030BC

ნაწილი საფონდო: 7896

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X6S1C224K050BB

C1005X6S1C224K050BB

ნაწილი საფონდო: 113902

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608C0G1H1R5C080AA

C1608C0G1H1R5C080AA

ნაწილი საფონდო: 150819

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X7R1C154M

C1608X7R1C154M

ნაწილი საფონდო: 4211

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608CH1H090D080AA

C1608CH1H090D080AA

ნაწილი საფონდო: 120317

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB1C684K080AA

C1608JB1C684K080AA

ნაწილი საფონდო: 180283

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R1A106M085AB

C2012X5R1A106M085AB

ნაწილი საფონდო: 129680

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X7R1H331K

CGA3E2X7R1H331K

ნაწილი საფონდო: 3535

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608JB1H333K080AA

C1608JB1H333K080AA

ნაწილი საფონდო: 127395

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X7R1E473K

C1608X7R1E473K

ნაწილი საფონდო: 1988

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402X5R0J222K020BC

C0402X5R0J222K020BC

ნაწილი საფონდო: 189484

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E130J030BG

C0603C0G1E130J030BG

ნაწილი საფონდო: 8903

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
CGA3E2NP01H391J080AA

CGA3E2NP01H391J080AA

ნაწილი საფონდო: 174011

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C0603JB0J474M030BC

C0603JB0J474M030BC

ნაწილი საფონდო: 139148

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R0J685K125AB

C2012X7R0J685K125AB

ნაწილი საფონდო: 177267

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X6S1E224M050BC

C1005X6S1E224M050BC

ნაწილი საფონდო: 164609

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R2E152K085AM

C2012X7R2E152K085AM

ნაწილი საფონდო: 133574

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
C1608X7R1H473K080AA

C1608X7R1H473K080AA

ნაწილი საფონდო: 154166

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R2E102K085AA

C2012X5R2E102K085AA

ნაწილი საფონდო: 108821

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0402JB1A472M020BC

C0402JB1A472M020BC

ნაწილი საფონდო: 4603

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB1H223K080AA

C1608JB1H223K080AA

ნაწილი საფონდო: 166475

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X6S1E224K050BC

C1005X6S1E224K050BC

ნაწილი საფონდო: 178171

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X6S1H474K080AB

C1608X6S1H474K080AB

ნაწილი საფონდო: 185016

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402JB1A472K020BC

C0402JB1A472K020BC

ნაწილი საფონდო: 4347

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X7R1C104K

C1608X7R1C104K

ნაწილი საფონდო: 2925

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608JB1H154K080AB

C1608JB1H154K080AB

ნაწილი საფონდო: 147691

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი