დიოდები - ზენერი - სინგლი

UDZS10B RRG

UDZS10B RRG

ნაწილი საფონდო: 255

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 180nA @ 7V,

სასურველი
MTZJ3V9SB R0G

MTZJ3V9SB R0G

ნაწილი საფონდო: 198

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.03V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V,

სასურველი
MTZJ33SD R0G

MTZJ33SD R0G

ნაწილი საფონდო: 211

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 32.3V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 65 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 25V,

სასურველი
TSZL52C4V7 RWG

TSZL52C4V7 RWG

ნაწილი საფონდო: 200

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 78 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZL52C3V9 RWG

TSZL52C3V9 RWG

ნაწილი საფონდო: 208

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
MTZJ30SB R0G

MTZJ30SB R0G

ნაწილი საფონდო: 182

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 28.42V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 23V,

სასურველი
MTZJ4V3SB R0G

MTZJ4V3SB R0G

ნაწილი საფონდო: 187

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V,

სასურველი
TSZL52C5V1 RWG

TSZL52C5V1 RWG

ნაწილი საფონდო: 187

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 800mV, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
ZM4757A L0G

ZM4757A L0G

ნაწილი საფონდო: 191

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 51V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 38.8V,

სასურველი
ZM4750A L0G

ZM4750A L0G

ნაწილი საფონდო: 212

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 35 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 20.6V,

სასურველი
MTZJ9V1SC R0G

MTZJ9V1SC R0G

ნაწილი საფონდო: 197

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.07V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 6V,

სასურველი
TSZL52C8V2 RWG

TSZL52C8V2 RWG

ნაწილი საფონდო: 159

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 7 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
MTZJ6V2SC R0G

MTZJ6V2SC R0G

ნაწილი საფონდო: 214

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.28V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 3V,

სასურველი
UDZS4V3B RRG

UDZS4V3B RRG

ნაწილი საფონდო: 175

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 1V,

სასურველი
ZM4741A L0G

ZM4741A L0G

ნაწილი საფონდო: 162

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 8 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 8.4V,

სასურველი
MMSZ5246B RHG

MMSZ5246B RHG

ნაწილი საფონდო: 211

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 17 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 12V,

სასურველი
MTZJ11SA R0G

MTZJ11SA R0G

ნაწილი საფონდო: 242

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10.45V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 8V,

სასურველი
MMSZ5243B RHG

MMSZ5243B RHG

ნაწილი საფონდო: 255

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 13 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 9.9V,

სასურველი
MTZJ8V2SC R0G

MTZJ8V2SC R0G

ნაწილი საფონდო: 240

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.24V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 5V,

სასურველი
MTZJ16SB R0G

MTZJ16SB R0G

ნაწილი საფონდო: 214

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 15.65V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 12V,

სასურველი
UDZS15B RRG

UDZS15B RRG

ნაწილი საფონდო: 9988

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 15V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 11V,

სასურველი
MTZJ18B R0G

MTZJ18B R0G

ნაწილი საფონდო: 6783

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 17.26V, ტოლერანტობა: ±2.5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 13V,

სასურველი
MTZJ7V5A R0G

MTZJ7V5A R0G

ნაწილი საფონდო: 3772

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.04V, ტოლერანტობა: ±2.7%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 4V,

სასურველი
MTZJ11B R0G

MTZJ11B R0G

ნაწილი საფონდო: 5246

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10.78V, ტოლერანტობა: ±2.6%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 8V,

სასურველი
MMSZ5248B RHG

MMSZ5248B RHG

ნაწილი საფონდო: 45160

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 21 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 14V,

სასურველი
MMSZ5232B RHG

MMSZ5232B RHG

ნაწილი საფონდო: 53405

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 11 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 3V,

სასურველი
MMSZ5245B RHG

MMSZ5245B RHG

ნაწილი საფონდო: 58824

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 15V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 16 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 11V,

სასურველი