დიოდები - ზენერი - სინგლი

BZD27C9V1P M2G

BZD27C9V1P M2G

ნაწილი საფონდო: 5291

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, ტოლერანტობა: ±6.07%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 4 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZT52C18S RRG

BZT52C18S RRG

ნაწილი საფონდო: 25808

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 12.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B7V5 RHG

BZT52B7V5 RHG

ნაწილი საფონდო: 25844

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 900nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZD27C24P RVG

BZD27C24P RVG

ნაწილი საფონდო: 25808

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 18V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZT52C16S RRG

BZT52C16S RRG

ნაწილი საფონდო: 25829

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 11.2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52C12S RRG

BZT52C12S RRG

ნაწილი საფონდო: 25828

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 12V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B27 RHG

BZT52B27 RHG

ნაწილი საფონდო: 25837

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 18.9V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B10 RHG

BZT52B10 RHG

ნაწილი საფონდო: 32303

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 180nA @ 7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B18 RHG

BZT52B18 RHG

ნაწილი საფონდო: 45243

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 12.6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZT52B3V9 RHG

BZT52B3V9 RHG

ნაწილი საფონდო: 51625

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2.7µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA,

სასურველი
BZD27C9V1PHR3G

BZD27C9V1PHR3G

ნაწილი საფონდო: 4135

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, ტოლერანტობა: ±6.07%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 4 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C8V2PHR3G

BZD27C8V2PHR3G

ნაწილი საფონდო: 4107

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±6.09%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 2 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C10PHR3G

BZD27C10PHR3G

ნაწილი საფონდო: 4095

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±6%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 4 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 7µA @ 7.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C6V8PHR3G

BZD27C6V8PHR3G

ნაწილი საფონდო: 4070

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5.88%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 3 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C7V5PHR3G

BZD27C7V5PHR3G

ნაწილი საფონდო: 4099

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.45V, ტოლერანტობა: ±6.04%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 2 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C9V1PHRQG

BZD27C9V1PHRQG

ნაწილი საფონდო: 4123

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, ტოლერანტობა: ±6.07%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 4 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C6V8PHRQG

BZD27C6V8PHRQG

ნაწილი საფონდო: 4098

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5.88%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 3 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C8V2PHRQG

BZD27C8V2PHRQG

ნაწილი საფონდო: 4094

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±6.09%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 2 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C7V5PHRQG

BZD27C7V5PHRQG

ნაწილი საფონდო: 4113

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.45V, ტოლერანტობა: ±6.04%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 2 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C10PHRQG

BZD27C10PHRQG

ნაწილი საფონდო: 4070

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±6%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 4 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 7µA @ 7.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
BZD27C6V8PHRUG

BZD27C6V8PHRUG

ნაწილი საფონდო: 4052

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5.88%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 3 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200mA,

სასურველი
UDZS8V2B RRG

UDZS8V2B RRG

ნაწილი საფონდო: 111

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 630nA @ 5V,

სასურველი
TSZU52C13 RGG

TSZU52C13 RGG

ნაწილი საფონდო: 155

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 13V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 10V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C5V1 RGG

TSZU52C5V1 RGG

ნაწილი საფონდო: 181

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 800mV, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C2V7 RGG

TSZU52C2V7 RGG

ნაწილი საფონდო: 167

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 83 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 75µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C4V7 RGG

TSZU52C4V7 RGG

ნაწილი საფონდო: 185

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 78 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C16 RGG

TSZU52C16 RGG

ნაწილი საფონდო: 222

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 12V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C3V9 RGG

TSZU52C3V9 RGG

ნაწილი საფონდო: 190

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C12 RGG

TSZU52C12 RGG

ნაწილი საფონდო: 182

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 12V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 9V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C15 RGG

TSZU52C15 RGG

ნაწილი საფონდო: 191

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 15V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 11V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C3V3 RGG

TSZU52C3V3 RGG

ნაწილი საფონდო: 228

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 25µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C9V1 RGG

TSZU52C9V1 RGG

ნაწილი საფონდო: 150

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 7V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C18 RGG

TSZU52C18 RGG

ნაწილი საფონდო: 160

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 50 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 14V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C22 RGG

TSZU52C22 RGG

ნაწილი საფონდო: 213

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 17V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C27 RGG

TSZU52C27 RGG

ნაწილი საფონდო: 179

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 20V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C3V0 RGG

TSZU52C3V0 RGG

ნაწილი საფონდო: 206

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი