დიოდები - ზენერი - სინგლი

TSZU52C6V2 RGG

TSZU52C6V2 RGG

ნაწილი საფონდო: 210

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 2V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C30 RGG

TSZU52C30 RGG

ნაწილი საფონდო: 157

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 30V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 23V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C4V3 RGG

TSZU52C4V3 RGG

ნაწილი საფონდო: 162

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C6V8 RGG

TSZU52C6V8 RGG

ნაწილი საფონდო: 167

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 8 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C5V6 RGG

TSZU52C5V6 RGG

ნაწილი საფონდო: 158

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C8V2 RGG

TSZU52C8V2 RGG

ნაწილი საფონდო: 208

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 7 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 6V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C10 RGG

TSZU52C10 RGG

ნაწილი საფონდო: 145

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 15 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 7.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C2V2 RGG

TSZU52C2V2 RGG

ნაწილი საფონდო: 188

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C20 RGG

TSZU52C20 RGG

ნაწილი საფონდო: 216

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 50 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 15V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C11 RGG

TSZU52C11 RGG

ნაწილი საფონდო: 182

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 8.5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C33 RGG

TSZU52C33 RGG

ნაწილი საფონდო: 160

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 25V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C2V0 RGG

TSZU52C2V0 RGG

ნაწილი საფონდო: 171

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C2V4 RGG

TSZU52C2V4 RGG

ნაწილი საფონდო: 199

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 85 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C24 RGG

TSZU52C24 RGG

ნაწილი საფონდო: 158

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 18V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C3V6 RGG

TSZU52C3V6 RGG

ნაწილი საფონდო: 189

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 95 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 15µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C36 RGG

TSZU52C36 RGG

ნაწილი საფონდო: 173

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 27V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C7V5 RGG

TSZU52C7V5 RGG

ნაწილი საფონდო: 175

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 7 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZU52C39 RGG

TSZU52C39 RGG

ნაწილი საფონდო: 171

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 150mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 29V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
MMSZ5234B RHG

MMSZ5234B RHG

ნაწილი საფონდო: 240

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 7 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 4V,

სასურველი
MTZJ11SC R0G

MTZJ11SC R0G

ნაწილი საფონდო: 154

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11.1V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 8V,

სასურველი
ZM4749A L0G

ZM4749A L0G

ნაწილი საფონდო: 166

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 18.2V,

სასურველი
TSZL52C30 RWG

TSZL52C30 RWG

ნაწილი საფონდო: 155

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 30V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 23V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
MTZJ3V3SB R0G

MTZJ3V3SB R0G

ნაწილი საფონდო: 249

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.43V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 120 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 20µA @ 1V,

სასურველი
ZM4733A L0G

ZM4733A L0G

ნაწილი საფონდო: 210

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 7 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1V,

სასურველი
UDZS3V6B RRG

UDZS3V6B RRG

ნაწილი საფონდო: 189

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 90 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 4.5µA @ 1V,

სასურველი
MTZJ5V1SA R0G

MTZJ5V1SA R0G

ნაწილი საფონდო: 244

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.94V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1.5V,

სასურველი
MTZJ2V2SB R0G

MTZJ2V2SB R0G

ნაწილი საფონდო: 240

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.32V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 120µA @ 700mV,

სასურველი
MTZJ15SC R0G

MTZJ15SC R0G

ნაწილი საფონდო: 177

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 14.72V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 40 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 11V,

სასურველი
MMSZ5262B RHG

MMSZ5262B RHG

ნაწილი საფონდო: 183

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 51V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 125 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 39V,

სასურველი
MTZJ39SB R0G

MTZJ39SB R0G

ნაწილი საფონდო: 187

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36.28V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 85 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 30V,

სასურველი
TSZL52C2V4 RWG

TSZL52C2V4 RWG

ნაწილი საფონდო: 169

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 85 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
MMSZ5225B RHG

MMSZ5225B RHG

ნაწილი საფონდო: 210

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 29 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 1V,

სასურველი
MTZJ3V0SA R0G

MTZJ3V0SA R0G

ნაწილი საფონდო: 235

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.96V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 120 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 1V,

სასურველი
MTZJ9V1SB R0G

MTZJ9V1SB R0G

ნაწილი საფონდო: 210

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 8.79V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 25 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500nA @ 6V,

სასურველი
MTZJ39SD R0G

MTZJ39SD R0G

ნაწილი საფონდო: 167

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 37.58V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 85 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 30V,

სასურველი
MTZJ11SB R0G

MTZJ11SB R0G

ნაწილი საფონდო: 200

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10.78V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 8V,

სასურველი