დიოდები - ზენერი - სინგლი

MMSZ5240B RHG

MMSZ5240B RHG

ნაწილი საფონდო: 170

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 17 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 8V,

სასურველი
MTZJ10SD R0G

MTZJ10SD R0G

ნაწილი საფონდო: 238

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10.21V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 7V,

სასურველი
UDZS20B RRG

UDZS20B RRG

ნაწილი საფონდო: 218

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 20V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 60 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 15V,

სასურველი
UDZS33B RRG

UDZS33B RRG

ნაწილი საფონდო: 180

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 25V,

სასურველი
MTZJ24SA R0G

MTZJ24SA R0G

ნაწილი საფონდო: 242

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22.62V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 35 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 19V,

სასურველი
MMSZ5228B RHG

MMSZ5228B RHG

ნაწილი საფონდო: 192

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 23 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1V,

სასურველი
MTZJ36SC R0G

MTZJ36SC R0G

ნაწილი საფონდო: 164

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 34.27V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 75 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 27V,

სასურველი
MTZJ20SC R0G

MTZJ20SC R0G

ნაწილი საფონდო: 197

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 19.73V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 15V,

სასურველი
ZM4752A L0G

ZM4752A L0G

ნაწილი საფონდო: 247

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 33V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 25.1V,

სასურველი
MMSZ5229B RHG

MMSZ5229B RHG

ნაწილი საფონდო: 170

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 22 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1V,

სასურველი
ZM4728A L0G

ZM4728A L0G

ნაწილი საფონდო: 217

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1V,

სასურველი
MTZJ6V8SA R0G

MTZJ6V8SA R0G

ნაწილი საფონდო: 207

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.46V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 3.5V,

სასურველი
MMSZ5242B RHG

MMSZ5242B RHG

ნაწილი საფონდო: 212

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 12V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 9.1V,

სასურველი
MTZJ30SC R0G

MTZJ30SC R0G

ნაწილი საფონდო: 186

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 29.09V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 23V,

სასურველი
MTZJ39SG R0G

MTZJ39SG R0G

ნაწილი საფონდო: 162

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 39.87V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 85 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 30V,

სასურველი
UDZS10B R9G

UDZS10B R9G

ნაწილი საფონდო: 234

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 10V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 180nA @ 7V,

სასურველი
MMSZ5239B RHG

MMSZ5239B RHG

ნაწილი საფონდო: 253

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 10 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 7V,

სასურველი
UDZS9V1B RRG

UDZS9V1B RRG

ნაწილი საფონდო: 194

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 450nA @ 6V,

სასურველი
MTZJ39SC R0G

MTZJ39SC R0G

ნაწილი საფონდო: 253

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 36.93V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 85 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 30V,

სასურველი
MMSZ5221B RHG

MMSZ5221B RHG

ნაწილი საფონდო: 253

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1V,

სასურველი
TSZL52C27 RWG

TSZL52C27 RWG

ნაწილი საფონდო: 204

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 20V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
MMSZ5260B RHG

MMSZ5260B RHG

ნაწილი საფონდო: 259

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 43V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 93 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 33V,

სასურველი
MTZJ24SD R0G

MTZJ24SD R0G

ნაწილი საფონდო: 156

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 24.24V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 35 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 19V,

სასურველი
MTZJ5V1SC R0G

MTZJ5V1SC R0G

ნაწილი საფონდო: 172

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 5.23V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 80 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1.5V,

სასურველი
MMSZ5230B RHG

MMSZ5230B RHG

ნაწილი საფონდო: 180

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 19 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 2V,

სასურველი
MTZJ12SB R0G

MTZJ12SB R0G

ნაწილი საფონდო: 249

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11.74V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 30 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 9V,

სასურველი
MTZJ18SA R0G

MTZJ18SA R0G

ნაწილი საფონდო: 197

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 16.64V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 45 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 13V,

სასურველი
MTZJ30SA R0G

MTZJ30SA R0G

ნაწილი საფონდო: 190

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 27.69V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 23V,

სასურველი
TSZL52C6V8 RWG

TSZL52C6V8 RWG

ნაწილი საფონდო: 146

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 8 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 3V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
TSZL52C22 RWG

TSZL52C22 RWG

ნაწილი საფონდო: 148

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 22V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 55 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 17V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
UDZS18B RRG

UDZS18B RRG

ნაწილი საფონდო: 231

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 18V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 50 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 45nA @ 13V,

სასურველი
MTZJ2V4SB R0G

MTZJ2V4SB R0G

ნაწილი საფონდო: 158

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 2.53V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 100 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 120µA @ 1V,

სასურველი
ZM4736A L0G

ZM4736A L0G

ნაწილი საფონდო: 163

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 1W, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 3.5 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 4V,

სასურველი
TSZL52C7V5 RWG

TSZL52C7V5 RWG

ნაწილი საფონდო: 197

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 7 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100nA @ 5V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10mA,

სასურველი
UDZS11B RRG

UDZS11B RRG

ნაწილი საფონდო: 242

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 11V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 200mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 20 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 90nA @ 8V,

სასურველი
MTZJ56S R0G

MTZJ56S R0G

ნაწილი საფონდო: 204

ძაბვა - Zener (Nom) (Vz): 56.5V, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე - მაქს: 500mW, წინაღობა (მაქს) (Zzt): 110 Ohms, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200nA @ 43V,

სასურველი