ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1608P-1473-C-T5

RG1608P-1473-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8514

წინააღმდეგობა: 147 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4992-C-T5

RG1608P-4992-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8487

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6040-C-T5

RG1608P-6040-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8321

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-47R5-C-T5

RG1608P-47R5-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8265

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4020-C-T5

RG1608P-4020-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8301

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-3650-C-T5

RG1608P-3650-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8339

წინააღმდეგობა: 365 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-3481-C-T5

RG1608P-3481-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4899

წინააღმდეგობა: 3.48 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2433-C-T5

RG1608P-2433-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8488

წინააღმდეგობა: 243 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1691-C-T5

RG1608P-1691-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8384

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-822-C-T5

RG1608P-822-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8208

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-3010-P-T1

RG2012N-3010-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8586

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5490-C-T5

RG1608P-5490-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8347

წინააღმდეგობა: 549 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1873-C-T5

RG1608P-1873-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8483

წინააღმდეგობა: 187 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-751-P-T1

RG2012N-751-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8505

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5111-C-T5

RG1608P-5111-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8436

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-392-P-T1

RG2012N-392-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8572

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2491-C-T5

RG1608P-2491-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4845

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-4640-P-T1

RG2012N-4640-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8570

წინააღმდეგობა: 464 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-1370-P-T1

RG2012N-1370-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8561

წინააღმდეგობა: 137 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4122-C-T5

RG1608P-4122-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4894

წინააღმდეგობა: 41.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-93R1-C-T5

RG1608P-93R1-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8296

წინააღმდეგობა: 93.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-184-C-T5

RG1608P-184-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8253

წინააღმდეგობა: 180 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-6040-P-T1

RG2012N-6040-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8610

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-471-P-T1

RG2012N-471-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4895

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-1180-P-T1

RG2012N-1180-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8522

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-4990-P-T1

RG2012N-4990-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8624

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2612-C-T5

RG1608P-2612-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8495

წინააღმდეგობა: 26.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-9761-C-T5

RG1608P-9761-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8417

წინააღმდეგობა: 9.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-133-C-T5

RG1608P-133-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8215

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-1650-P-T1

RG2012N-1650-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4884

წინააღმდეგობა: 165 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4222-C-T5

RG1608P-4222-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8459

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-64R9-C-T5

RG1608P-64R9-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8270

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-2610-P-T1

RG2012N-2610-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4885

წინააღმდეგობა: 261 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6652-C-T5

RG1608P-6652-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8453

წინააღმდეგობა: 66.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-8660-C-T5

RG1608P-8660-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8326

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2151-C-T5

RG1608P-2151-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8413

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი