ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 2

STS4DNF30L

ნაწილი საფონდო: 2904

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

STMicroelectronics

STC5DNF30V

ნაწილი საფონდო: 2708

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 600mV @ 250µA,

სასურველი

STMicroelectronics

STC5NF30V

ნაწილი საფონდო: 2697

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 600mV @ 250µA,

სასურველი

STMicroelectronics

STS8DNH3LL

ნაწილი საფონდო: 2618

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

STMicroelectronics

STS4DPF30L

ნაწილი საფონდო: 107386

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

STMicroelectronics

STS3DPF60L

ნაწილი საფონდო: 2674

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სასურველი

STMicroelectronics

STS1DNC45

ნაწილი საფონდო: 85375

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 450V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 400mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.7V @ 250µA,

სასურველი

STMicroelectronics

STS8DNF3LL

ნაწილი საფონდო: 136676

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი